专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种采集器及渐进式光罩结构-CN202222284369.2有效
  • 孙成洋;梅小露 - 奥诚信息科技(上海)有限公司
  • 2022-08-29 - 2023-04-07 - G03F1/32
  • 本实用新型公开了一种采集器及渐进式光罩结构,所述采集器包括微透镜、基底层和与基底层连接的读出电路;基底层的一侧设置有感光区域,另一侧设置有微透镜,以使得入射光束经过微透镜汇聚入射至感光区域;其中,微透镜包括氧化物层和呈半球状的氮化物层;氧化物层设置于基底层上,氮化物层覆盖于氧化物层背离基底层的一面。本实用新型通过所述氧化物层与所述氮化物层连接且整体呈半球状的设置方式,使其能够在工厂内一次性完成镜头的制作,从而简化微透镜制备过程,提高生产效率且降低成本。
  • 一种采集渐进式光罩结构
  • [发明专利]焊盘结构及光刻拼接工艺的在线监控方法-CN202211420247.X在审
  • 孙成洋;钱俊;孙昌;秋沉沉 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-04-04 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种焊盘结构及光刻拼接工艺的在线监控方法。具体的,本发明提供了一种新型的焊盘结构,包括多个并排排列的大焊盘(主焊盘),以及内嵌在每个大焊盘(主焊盘)中的多个正方形的小焊盘(副焊盘),从而提出一种将大小焊盘嵌套的方式,形成一组用于全方位无死角对拼接芯片的某些参数进行测试的焊盘结构;之后,在基于本发明所提供的上述新型结构的焊盘结构后,利用该特殊结构的焊盘结构,并结合人工测量芯片大小、人工划片等人工操作方式,进而解决现有技术中无法直接对利用超级拼接工艺制造的包含超大像素单元的图像传感器的版图中拼接芯片版图的厚度进行监控和测量的问题。
  • 盘结光刻拼接工艺在线监控方法
  • [实用新型]一种用于电池烧焊的模具结构-CN202023133442.3有效
  • 曾卫东;孙成洋 - 郴州市耐普电源有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-08-31 - B23K37/04
  • 本实用新型公开了一种用于电池烧焊的模具结构,所述模具结构固定于机架的前端,所述模具结构的前方设有焊接结构,所述模具结构包括放置电池的极板组及铅柱的模具盒和若干压板,所述若干压板之间相互间隔设置于模具盒内使得压板和压板之间形成有放置极板组的间距,所述焊接结构对模具盒内的极板组进行批量焊接,提高焊接效率;模具盒的开口处开设有开槽,所述开槽设有卡住铅柱放在极板组位置的限位条,所述限位条对铅柱插入到极板组的位置进行限位,避免铅柱从极板组处掉下。
  • 一种用于电池烧焊模具结构
  • [实用新型]一种集电池烧焊装盒送料为一体的结构-CN202023126251.4有效
  • 曾卫东;孙成洋 - 郴州市耐普电源有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-08-03 - H01M10/12
  • 本实用新型公开了一种集电池烧焊装盒送料为一体的结构,包括机架和烧焊装置,将烧焊装置设于机架的前端,在烧焊装置的上方设有装盒装置,在烧焊装置和装盒装置之间设有移动压紧装置,烧焊装置包括模具盒机构和烧焊机构,在移动压紧装置的一侧设有翻转移动装置,翻转移动装置的下方设有推料装置,所述推料装置对接有传送带,将极板组和铅柱放入模具盒机构内,通过烧焊机构将铅柱焊接在极板组上,再通过装盒装置将极板组及焊接在极板组上的铅柱装到电池盒内,由翻转移动装置对装有极板组的电池盒进行翻转并移动到推料装置的上方,最后由推料装置将焊接和装盒好的电池盒推到传送带实现对电池盒的送料,该一体结构集烧焊、装盒、送料。
  • 一种电池烧焊装盒送料一体结构
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN202110342838.9在审
  • 孙成洋;钱俊;孙昌;秋沉沉 - 上海华力微电子有限公司
  • 2021-03-30 - 2021-06-25 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种图像传感器的制造方法,包括提供一半导体衬底,所述半导体衬底上形成有第一介质层和第一掩膜层,所述第一介质层和第一掩膜层中形成有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构贯穿所述第一介质层和第一掩膜层并延伸至所述半导体衬底中;进行第一刻蚀工艺,去除所述第一掩膜层,并去除部分所述第一介质层;进行第二刻蚀工艺,继续去除部分所述第一介质层,以达到所述第一介质层的预设厚度;进行离子注入工艺,在所述半导体衬底和所述浅沟槽隔离结构内全注入氟离子,以增加图像传感器的抗辐射性;还可以减少图像传感器的像素区域的白色像素和暗电流;增强浅沟槽隔离结构的隔离效果。
  • 图像传感器制造方法

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