[发明专利]一种掩膜版

说明书

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版。掩膜版包括：括掩膜版本体，所述掩膜版本体上设置有用于遮挡相邻两个面板之间IC区域的遮挡区；所述遮挡区包括加强部和减薄部，所述减薄部形成开口朝向衬底基板以用于避让驱动IC的避让凹陷。本申请中的掩膜版能够提高遮挡区的力学性能，以保证掩膜版本体在制作的过程中不容易产生变形和卷曲。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版。

背景技术

在柔性Oled(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件的封装工艺中，采用等离子体沉积技术，其采用的掩膜板是影响封装效果的重要因素。

目前，采用等离子体沉积技术的掩膜板为了避免划伤面板的IC部位线路，在CVDMask的玻璃接触面采用了贯穿整张掩膜板的半刻蚀工艺。但是在此种工艺中，由于半刻蚀设计的存在，上述掩膜板被刻蚀部分的力学性能较差，易发生卷曲形变的现象，造成掩膜板被刻蚀的部分与玻璃基板之间存在间隙，最终导致了工艺不良发生。

发明内容

本申请提供了一种掩膜版，能够提高被刻蚀部分的力学性能，以保证其在制作的过程中不容易产生变形和卷曲。

为了达到上述目的，本申请提供了一种掩膜版，包括：掩膜版本体，所述掩膜版本体上设置有用于遮挡相邻两个面板之间IC区域的遮挡区；

所述遮挡区包括加强部和减薄部，所述减薄部形成开口朝向衬底基板以用于避让驱动IC的避让凹陷。

本申请中的掩膜版，包括掩膜版本体，在掩膜版本体上设有遮挡区，遮挡区将相邻的两个面板之间的IC区域遮挡；具体的，遮挡区包括加强部和减薄部，减薄区形成开口朝向衬底基板的避让凹陷，避让凹陷与IC区域中的驱动IC相对应，进而可以防止在封装过程中掩膜版本体划伤驱动IC的问题产生，另外，加强部的设置可以提高遮挡区的力学性能，减轻了在制作过程中的卷曲以及形变的可能。

需要说明的是，遮挡区即为掩膜版本体被刻蚀的区域。

优选地，所述加强部与所述掩膜版本体具有一体式结构。

优选地，所述加强部朝向所述衬底基板的一端与所述避让凹陷的侧壁朝向衬底基板的一侧平齐。

优选地，所述加强部与所述掩膜版本体的厚度相同。

优选地，所述避让凹陷的深度为所述掩膜版本体厚度的5％-65％。

优选地，所述避让凹陷的深度为所述掩膜版本体厚度的5％-30％。

优选地，所述加强部包括沿第一方向设置的第一加强筋。

优选地，所述加强部还包括沿第二方向设置的多个第二加强筋。

优选地，所述第一加强筋和所述第二加强筋垂直设置。

优选地，所述避让凹陷的形状为圆形、矩形或椭圆形。

附图说明

图1为本申请实施例的掩膜版的一种结构示意图；

图2为本申请实施例的掩膜版中遮挡区的一种主视图；

图3为本申请实施例的掩膜版中遮挡区的又一种主视图。

图标：10-掩膜版本体；20-遮挡区；21-加强部；22-减薄部；220-避让凹陷。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。