[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式M_aR_bX_c的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

技术领域

本公开涉及的制造半导体器件的方法。

背景技术

随着消费者设备响应于消费者需求而变得越来越小，这些设备的各个部件也必须减小大小。构成例如移动电话、计算机平板电脑等设备的主要部件的半导体器件已被迫变得越来越小，对应地也迫使半导体器件内的各个器件(例如，晶体管、电阻器、电容器等)也要减小大小。

在半导体器件的制造过程中使用的一种使能技术是使用光刻材料。将此类材料施加至待图案化的层的表面，然后暴露于本身已被图案化的能量。此类暴露改变了光敏材料的暴露区域的化学和物理特性。可以利用这种改性以及在未暴露的光敏材料区域中缺乏改性，来去除一个区域而不去除另一个区域。

然而，随着各个器件的大小减小，用于光刻处理的工艺窗口变得越来越收紧。如此，光刻处理领域中的进步对于维持按比例缩小器件的能力是必需的，并且为了满足期望的设计标准，以便可以保持朝向越来越小的部件前进，还需要进一步的改进。

发明内容

根据本公开的一个实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：

在基板上方形成光致抗蚀剂层，包括：

将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，

其中第一前体是具有式M_aR_bX_c的有机金属：

其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种，

R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团，

X是卤素或磺酸酯基团，并且

1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5，并且

第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种；并且

在基板上方沉积所述光致抗蚀剂；

将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；并且

通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案，来使潜在图案显影。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：

通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)在基板表面上沉积光致抗蚀剂组合物，以形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂组合物包括第一化合物和第二化合物，

其中所述沉积光致抗蚀剂组合物包括：

将第一化合物和第二化合物以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂组合物，