[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.制造半导体器件的方法，包括：

在基板上方形成光致抗蚀剂层，包括：

将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，

其中第一前体是具有式M_aR_bX_c的有机金属：

其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种，

R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团，

X是卤素或磺酸酯基团，并且

1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5，并且

第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种；并且

在基板上方沉积所述光致抗蚀剂；

将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；并且

通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案，来使潜在图案显影。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光化辐射是极紫外辐射。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案之后，并且在使所述潜在图案显影之前，烘烤所述光致抗蚀剂层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述烷基、烯基或羧酸酯基团被一个或多个氟基团取代。

5.根据权利要求1的方法，其中所述磺酸酯基团被一个或多个胺基取代。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂材料是通过原子层沉积或化学气相沉积来沉积在所述基板上方的。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之前，将所述光致抗蚀剂层暴露于红外线、可见光或近紫外辐射。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述光致抗蚀剂层之前，在所述基板上方形成含无定形碳的层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述光致抗蚀剂层之前，在所述基板上方形成碳基聚合物层。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射之前，将有机硅烷施加至所述光致抗蚀剂层。