[发明专利]双电压阈电路及其掉电防护电路在审

专利信息
申请号: 202110336064.9 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113114189A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 丁毅岭;李国宏;郁仁昌;孙旭涛;赵方舟 申请(专利权)人: 无锡力芯微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H02H3/24
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电压 电路 及其 掉电 防护
【权利要求书】:

1.一种双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,其包括:

高阈值复位电路,其输入端与低电压源VDDlow相连,当所述低电压源VDDlow的电压大于预先设置的高阈值电压Vthhigh时,所述高阈值复位电路的输出端输出第一电平;当所述低电压源VDDlow的电压小于所述高阈值电压Vthhigh时,所述高阈值复位电路的输出端输出第二电平或关闭输出;

开关电路,其第一连接端与高电压源VDDhigh相连,其第二连接端与高压电路的电源端相连,其控制端与所述高阈值复位电的输出端相连,当所述高阈值复位电路的输出端输出第一电平时,所述开关电路将所述高电压源VDDhigh与所述高压电路的电源端相连接;当所述高阈值复位电路的输出端输出第二电平或关闭输出时,所述开关电路切断所述高电压源VDDhigh与所述高压电路的电源端的连接;

低阈值复位电路,其输入端与所述低电压源VDDlow相连,其输出端与低压电路的电源端相连,当所述低电压源VDDlow的电压大于所述低阈值电压Vthlow时,所述低阈值复位电路将所述低电压源VDDlow与所述低压电路的电源端相连接;当所述低电压源VDDlow的电压小于所述低阈值电压Vthlow时,所述低阈值复位电路切断所述低电压源VDDlow与所述低压电路的电源端的连接。

2.根据权利要求1所述的双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,

所述高电压源VDDhigh的电压值>所述低电压源VDDlow的电压值;

所述低电压源VDDlow的电压值>所述高阈值电压Vthhigh的电压值>所述低阈值电压Vthlow的电压值。

3.根据权利要求2所述的双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,

所述开关电路包括第一MOS管PM1和第二MOS管NM1,

其中,所述第一MOS管PM1的第一连接端与所述开关电路的第一连接端相连,其第二连接端与所述开关电路的第二连接端相连,其控制端与所述高电压源VDDhigh相连;

所述第二MOS管NM1的第一连接端与所述第一MOS管PM1的控制端相连,其第二连接端接地,其控制端与所述开关电路的控制端相连。

4.根据权利要求3所述的双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,

当所述高阈值复位电路的输出端输出第一电平时,所述第一MOS管PM1和第二MOS管NM1均导通;

当所述高阈值复位电路的输出端输出第二电平或关闭输出时,所述第一MOS管PM1和第二MOS管NM1均关断。

5.根据权利要求4所述的双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,

所述第一MOS管PM1为PMOS晶体管,所述第一MOS管MP1的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极;

所述第二MOS管NM1为NMOS晶体管,所述第二MOS管NM1的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极;

所述高阈值复位电路输出的第一电平为高电平,其输出的第二电平为低电平。

6.根据权利要求5所述的双电压阈电路的掉电防护电路,其特征在于,

所述开关电路还包括第二电阻R2,其连接于所述所述第二MOS管NM1的控制端和接地端之间;

当所述低电压源VDDlow的电压小于所述高阈值电压Vthhigh时,所述高阈值复位电路关闭输出。

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