[发明专利]器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法

权利要求书

1.一种器件密封方法，其特征在于，

该器件密封方法具备密封过程，在该密封过程中，对在工件的搭载有器件的器件搭载面附着片状密封件而构成的密封件复合体施加比大气压高的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。

2.根据权利要求1所述的器件密封方法，其特征在于，

该器件密封方法具备将所述密封件复合体收纳于腔室的收纳过程，

所述密封过程是在所述收纳过程之后，通过提高所述腔室的内部空间的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。

3.根据权利要求2所述的器件密封方法，其特征在于，

所述片状密封件具有与所述工件的器件搭载面相对应的规定形状，所述片状密封件被长条的输送用片所保持，

所述腔室具备上壳体和下壳体，

所述密封过程具有：

上下空间形成过程，在该上下空间形成过程中，通过利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而将所述腔室的内部空间划分为供处于所述器件搭载面朝上的状态的所述工件配置的下空间、和隔着被所述输送用片保持的所述片状密封件与所述下空间相对的上空间；以及

空间加压过程，在该空间加压过程中，通过对所述上空间和所述下空间中的至少所述上空间进行加压，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。

4.根据权利要求3所述的器件密封方法，其特征在于，

具备配设于所述上壳体的内部的片状的弹性体，

所述片状的弹性体配设成，通过在所述上下空间形成过程中利用所述上壳体和所述下壳体来夹持所述输送用片，从而所述片状的弹性体抵接于所述输送用片中的未保持所述片状密封件的面。

5.根据权利要求3或4所述的器件密封方法，其特征在于，

该器件密封方法具备加热过程，在该加热过程中，通过对所述下空间和所述上空间中的至少一者进行加热来加热所述片状密封件，

在所述密封过程中，对通过所述加热过程而被加热的状态的所述片状密封件施加比大气压高的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的器件密封方法，其特征在于，

所述工件在与所述器件搭载面相反侧的面具备1个或两个以上的凸状构件，

该器件密封方法还具备保持过程，在该保持过程中，使用在中央部具有凹部的保持构件，以使所述凸状构件配置于所述凹部的内部的状态来保持所述工件，

在所述工件被所述保持构件保持之后，执行所述密封过程。

7.一种器件密封装置，其特征在于，

该器件密封装置具备密封机构，该密封机构对在工件的搭载有器件的器件搭载面附着片状密封件而构成的密封件复合体施加比大气压高的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。

8.一种半导体产品的制造方法，其用于制造成为搭载于工件的器件被片状密封件密封的状态的半导体产品，该半导体产品的制造方法的特征在于，

该半导体产品的制造方法具备密封过程，在该密封过程中，对在工件的搭载有器件的器件搭载面附着片状密封件而构成的密封件复合体施加比大气压高的压力，从而利用所述片状密封件来密封所述器件。