[发明专利]IGBT版图结构

说明书

本申请公开了一种IGBT版图结构，包括：元胞区，以及位于元胞区域外圈的终端金属环；元胞区上设置有发射极金属以及与发射极金属电连接的发射极压焊点、栅极金属以及与栅极金属电连接的栅极压焊点；终端金属环上还设置有至少一个集电极压焊点；终端金属环上非集电极压焊点区域均被钝化层覆盖。采用本发明的IGBT版图结构，可以在不需要对IGBT芯片背面加压的情况下对IGBT芯片的参数进行测试，降低对芯片测试设备探针台的要求。

技术领域

本发明涉及功率元器件领域，尤指一种IGBT版图结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。IGBT器件有三个电极，分别为集电极C(Collector)、栅极G(Gate)、发射极E(Emmiter)，IGBT和众多其他功率器件一样，为了能在单位面积上，既能承受足够高的阻断电压，又能够开关尽量大的电流，器件一般都设计成垂直结构，即集电极C位于芯片背面，栅极G以及发射极E位于芯片正面，常规的IGBT版图设计示意图如图1所示，在进行芯片级测试时，需要芯片背面电极加压，对于很多没有托盘加压能力的探针台而言是无法实现的。

发明内容

本发明的目的是提供一种IGBT版图结构，用以解决即使在托盘没有加压能力的探针台上也可以实现IGBT芯片测试。

具体的，本发明提供的技术方案如下：

本申请公开了一种IGBT版图结构，包括：元胞区，以及位于所述元胞区域外圈的终端金属环；所述元胞区上设置有发射极金属以及与所述发射极金属电连接的发射极压焊点、栅极金属以及与所述栅极金属电连接的栅极压焊点；所述终端金属环上还设置有至少一个集电极压焊点；所述终端金属环上非集电极压焊点区域均被钝化层覆盖。

优选地，所述集电极压焊点为多个，均匀分布于所述终端金属环上。

优选地，所述终端金属环为矩形环，所述集电极压焊点设置于所述终端金属环的拐角位置。

优选地，所述集电极压焊点的个数不超过4个。

优选地，所述集电极压焊点的形状为三角形、正方形、或矩形之中的任意一种。

优选地，所述集电极压焊点的形状为等腰直角三角形。

优选地，所述终端金属环的金属层与IGBT的N-基区形成欧姆接触。

本申请至少具备以下一项技术效果：

(1)本申请在不增大芯片面积、不添加光罩版层数、不额外增加成本的基础上，通过在正面版图结构中添加集电极压焊点，可以在不需要芯片背面加压的情况下对IGBT芯片的参数进行测试，降低对芯片测试设备探针台的要求(常规IGBT集电极在芯片背面，测试时需要背面加压，需要探针台的托盘有加压能力)，便于芯片测试。

(2)当芯片发生问题时，本发明的结构有正面集电极测试用的压焊点，可以通过对比背面集电极加压测试与正面集电极加压测试结果，判定芯片失效点位置。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

图1是常规IGBT版图结构示意图；

图2是本发明IGBT版图结构示意图；

图3是本发明IGBT版图结构虚线切割示意图；

图4是图3从虚线处切割后的截面示意图；

图5是本发明IGBT版图结构的另一示意图；

图6是设置在终端金属环上的集电极压焊点形状示意图。