[发明专利]一种半导体研磨废水处理装置及方法在审
申请号: | 202110328461.1 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113045046A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 殷泽安 | 申请(专利权)人: | 江西译码半导体有限公司 |
主分类号: | C02F9/04 | 分类号: | C02F9/04;B01D46/00;B01D46/12;B01D53/04 |
代理公司: | 深圳华奇信诺专利代理事务所(特殊普通合伙) 44328 | 代理人: | 陈子勋 |
地址: | 330000 江西省南昌市小*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 研磨 废水处理 装置 方法 | ||
本发明为一种半导体研磨废水处理装置及方法,包括废水收集池、废水处理罐、压滤机和滤饼回收装置,该半导体研磨废水处理方法,废水收集池内的废水经过废水处理罐上的搅拌装置搅拌均匀,充分反应,反应产生的气体经过气体过滤装置过滤,器体过滤装置方便对废气进行异味吸附,杀菌消毒,反应后的废水进入压滤机内进行压滤,方便将可回收物质压成滤饼方便回收,经过取样检测器检测,压滤机内液体检测合格从第二出料管排入清水池,压滤机内液体检测不合格从第一出料管返回废水收集池进行二次废水处理,滤饼经过滤饼回收装置回收,方便运输。
技术领域
本发明涉及废水处理设备技术领域,具体为一种半导体研磨废水处理装置及方法。
背景技术
众所周知,目前,半导体工业已经超过传统的钢铁工业、汽车工业,成为了一种高附加值、高科技产业。半导体主要生产工序包括:硅片清洗、氧化/扩散、化学气相沉积、光刻、去胶、干法刻蚀、湿法腐蚀、离子注入、金属化、化学机械抛光、检测。其中研磨等工序中的研磨废水需要经过废水处理才能进行排放。
例如公开号为“CN103539278B”专利名称为:“一种水晶研磨废水处理方法与装置”的专利,专利公开了“本发明涉及水处理技术领域,尤其涉及并公开了一种水晶研磨废水处理方法,包括格栅初滤处理、一次沉淀、二次沉淀、超滤过滤处理、超滤浓水循环回流处理等步骤。本发明还公开了一种水晶研磨废水处理装置,包括依次连接的格栅、初沉池、二沉池、超滤处理设备、产水箱,所述的超滤处理设备原水口与二沉池的出水口连接,超滤处理设备产水口与产水箱进水口连接,超滤处理设备浓水口连接到初沉池的进水口。本发明的一种水晶研磨废水处理方法与装置采用浸没式超滤处理将酸性废水处理成酸性产水直接回收应用,无需调节溶液酸碱性,大大简化了处理回收利用的步骤,节约了成本,实现了零废液排放,且膜丝更换频率低,能耗小,具有成本低,经济效益高的优点”。
现有的一种水晶研磨废水处理方法与装置在使用中发现,其废水处理不充分,没有废气过滤装置,废水中的可回收物质不方便回收,导致其使用局限性较高。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种方便回收物料,具有废气处理的半导体研磨废水处理方法。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体研磨废水处理装置,包括废水收集池、废水处理罐、压滤机和滤饼回收装置,所述废水收集池一侧下方设置有送水装置,所述送水装置一端与所述废水收集池连接,所述送水装置另一端与所述废水处理罐连接,所述废水处理罐上方设置有搅拌装置,所述废水处理罐上方一端设置有第一进料口,所述废水处理罐下方设置有连接管,所述连接管与所述压滤机上方一端连接,所述压滤机外侧设置有液晶控制屏,所述压滤机上方另一端设置有第二进料口,所述压滤机下方一端设置有固体出料口,所述压滤机下方另一端设置有第一出料管和第二出料管,所述废水收集池一侧上方设置有回水装置,所述回水装置一端与所述废水收集池连接,所述回水装置另一端与所述第一出料管连接,所述滤饼回收装置与所述固体出料口相匹配,所述滤饼回收装置包括收集箱、承压台和指示器,所述指示器设置在所述承压台正面,所述收集箱设置在所述承压台上方,所述指示器与所述液晶控制屏相匹配。
为了方便了解收集箱是否已满,本发明改进有,所述承压台上设置有压力传感器,所述压力传感器与所述指示器连接。
为了方便检测废水是否处理合格,本发明改进有,所述压滤机内设置有取样检测器,所述取样检测器与所述液晶控制屏连接。
为了方便过滤反应废气,本发明改进有,所述废水处理罐上方另一端设置有废气处理装置,所述第一进料口和废气处理装置设置在所述搅拌装置周侧。
为了方便吸收异味和杀菌消毒,本发明改进有,所述废气处理装置内设置有活性炭过滤网、银纤维过滤网和杀菌器,所述杀菌器设置在所述废气处理装置上方,所述活性炭过滤网设置在所述银纤维过滤网周侧。
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