[发明专利]太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池。太阳能电池的湿法刻蚀方法包括：通过刻蚀槽处理硅片，并水洗刻蚀槽处理后的硅片；通过第一酸槽处理水洗后的硅片，并水洗第一酸槽处理后的硅片；通过剥离槽处理水洗后的硅片，并水洗剥离槽处理后的硅片；通过碱槽处理水洗后的硅片，并水洗碱槽处理后的硅片；通过第二酸槽处理水洗后的硅片，并水洗第二酸槽处理后的硅片。如此，可以提高硅片的洁净度，也可以降低扩散层表面的掺杂浓度，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池。

背景技术

相关技术中，太阳能电池通常需要对硅片进行湿法刻蚀，以去除硅片非扩散面和四周的P-N结，防止短路。在湿法刻蚀的过程中，通常需要进行清洗。然而，相关技术中，硅片的清洗效果较差。而且，湿法刻蚀后扩散层表面的掺杂浓度较高，导致太阳能电池的光电转换效率较差。

基于此，湿法刻蚀中如何提高硅片的洁净度并降低扩散层表面的掺杂浓度，成为了亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池，旨在解决湿法刻蚀中如何提高硅片的洁净度并降低扩散层表面的掺杂浓度的问题。

本发明提供的太阳能电池的湿法刻蚀方法包括：

通过刻蚀槽处理硅片，并水洗所述刻蚀槽处理后的硅片；

通过第一酸槽处理水洗后的硅片，并水洗所述第一酸槽处理后的硅片；

通过剥离槽处理水洗后的硅片，并水洗所述剥离槽处理后的硅片；

通过碱槽处理水洗后的硅片，并水洗所述碱槽处理后的硅片；

通过第二酸槽处理水洗后的硅片，并水洗所述第二酸槽处理后的硅片。

可选地，所述刻蚀槽容纳有氢氟酸、硝酸和硫酸的水溶液。

可选地，所述氢氟酸的浓度范围为6-120g/L，所述硝酸的浓度范围为300-400g/L，所述硫酸的浓度范围为100-250g/L。

可选地，所述第一酸槽容纳有氢氟酸的水溶液。

可选地，所述氢氟酸的浓度范围为5-30g/L。

可选地，所述剥离槽容纳有氢氟酸和臭氧的水溶液。

可选地，所述氢氟酸的浓度范围为10-100g/L，所述臭氧的浓度范围为10-30ppm。

可选地，所述碱槽容纳有氢氧化钾的水溶液。

可选地，所述氢氧化钾的浓度范围为1-5％。

本发明提供的太阳能电池，采用权利要求1～9任一项所述的方法刻蚀得到。

本发明实施例的太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池，通过刻蚀槽、第一酸槽、剥离槽、碱槽和第二酸槽来对硅片进行湿法刻蚀，可以提高硅片的洁净度，也可以降低扩散层表面的掺杂浓度，从而提高太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

图1是本发明实施例的太阳能电池的湿法刻蚀方法的流程示意图；

图2是本发明实施例的太阳能电池的湿法刻蚀方法的场景示意图。

主要元件符号说明：

刻蚀槽11、置第一水洗槽12、第一酸槽13、第二水洗槽14、剥离槽15、第三水洗槽16、碱槽17、第四水洗槽18、第二酸槽19、第五水洗槽20。

具体实施例