[发明专利]太阳能电池的湿法刻蚀方法和太阳能电池在审
申请号: | 202110326619.1 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN115132581A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 刘海金;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.一种太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,包括:
通过刻蚀槽处理硅片,并水洗所述刻蚀槽处理后的硅片;
通过第一酸槽处理水洗后的硅片,并水洗所述第一酸槽处理后的硅片;
通过剥离槽处理水洗后的硅片,并水洗所述剥离槽处理后的硅片;
通过碱槽处理水洗后的硅片,并水洗所述碱槽处理后的硅片;
通过第二酸槽处理水洗后的硅片,并水洗所述第二酸槽处理后的硅片。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀槽为容纳有氢氟酸、硝酸和硫酸的水溶液。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述氢氟酸的浓度范围为6-120g/L,所述硝酸的浓度范围为300-400g/L,所述硫酸的浓度范围为100-250g/L。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述第一酸槽容纳有氢氟酸的水溶液。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述氢氟酸的浓度范围为5-30g/L。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述剥离槽容纳有氢氟酸和臭氧的水溶液。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述氢氟酸的浓度范围为10-100g/L,所述臭氧的浓度范围为10-30ppm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述碱槽容纳有氢氧化钾的水溶液。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的湿法刻蚀方法,其特征在于,所述氢氧化钾的浓度范围为1-5%。
10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池采用权利要求1~9任一项所述的方法刻蚀得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造