[发明专利]具有多层合成铁磁体自由层的读取器

说明书

本申请公开了具有多层合成铁磁体自由层的读取器。一种装置，包括读取传感器，该读取传感器具有三层合成铁磁体自由层和靠近该三层合成铁磁体自由层定位的至少一个侧屏蔽件。该至少一个侧屏蔽件在第一方向上提供偏置磁场以将该三层合成铁磁体自由层偏置。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种读取器。该读取器包括读取传感器，该读取传感器具有多层合成铁磁体自由层。该多层合成铁磁体自由层具有使得该多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。

在另一个实施例中，提供了一种形成读取器的方法。该方法包括通过形成多层合成铁磁体自由层来形成读取传感器,该多层合成铁磁体自由层具有使得该多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。

在又一个实施例中，提供了一种装置。该装置包括读取传感器，该读取传感器具有三层合成铁磁体自由层和至少一个侧屏蔽件。该至少一个侧屏蔽件在第一方向上提供偏置磁场以将该三层合成铁磁体自由层偏置。

表征本公开的实施例的其他特征和优点将在阅读以下具体实施方式和审查相关附图时变得显而易见。

附图说明

图1是包括数据存储介质和用于从该数据存储介质读取数据和/或向该数据存储介质写入数据的头的数据存储系统的示意图。

图2是从存储介质读取和向存储介质写入的记录头的一个实施例的横截面的示意图。

图3A是根据一个实施例的磁重放设备(reproducing device)的支承表面视图。

图3B是图3A的磁重放设备的实施例的一部分的截面视图。

图4和图5是从具有三层合成铁磁体自由层的读取器的微磁模拟中获取的结果图。

具体实施方式

本公开的实施例涉及采用多层合成铁磁体作为其自由层的读取器。然而，在提供关于不同实施例的附加细节之前，下文提供了说明性操作环境的描述。

图1示出了其中可以结合本文所公开的某些实施例的说明性操作环境。图1中示出的操作环境仅仅出于解说目的。本公开的实施例不限于任何特定的操作环境，诸如图1中示出的操作环境。本公开的实施例在任意数量的不同类型的操作环境中说明性地实践。

应当注意的是，相同或相似的元件在不同的附图中使用相同的附图标记。应当理解的是，本文中所使用的术语仅出于对特定实施例进行描述的目的，该术语并不旨在进行限制。除非另有指示，否则序号(例如，第一、第二、第三等)用于区分或标识一组元件或步骤中的不同元件或步骤，并且不对其实施例的元件或步骤提供序列或数值限制。例如，“第一”、“第二”和“第三”元件或步骤不必以该顺序出现，其实施例不必限于三个元件或步骤。还应当理解的是，除非另有指示，否则任何标签，诸如“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“向前”、“相反”、“顺时针”、“逆时针”、“上”、“下”，或其他类似术语，诸如“上方”、“下方”、“之后”、“之前”、“垂直”、“水平”、“近端”、“远端”，“居间”等是为了方便而使用，并不旨在表示例如，任何特定的固定位置、取向或方向。相反，此类标签用于反映，例如，相对位置、取向或方向。应当理解的是，除非上下文另有明确规定，单数形式“一个”、“一种”和“该”包括复数对象。

应当理解的是，当元件被称为“连接”、“耦合”或“附接”到另一元件时，其可以直接连接、耦合或附接到另一元件，或其可以间接连接、耦合或附接到可以存在介入元件或中间元件的另一元件。相反，当元件被称为“直接连接”、“直接耦合”或“直接附接”至另一元件时，不存在介入元件。图示出元件之间的直接连接、耦合或附接的附图还包括实施例，其中元件彼此间接连接、耦合或连接。