[发明专利]具有多层合成铁磁体自由层的读取器

权利要求书

1.一种读取器，包括：

读取传感器，包括：

多层合成铁磁体自由层，所述多层合成铁磁体自由层具有使得所述多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。

2.如权利要求1所述的读取器，其特征在于，所述多层合成铁磁体自由层包括三层合成铁磁体自由层。

3.如权利要求2所述的读取器，进一步包括所述三层合成铁磁体自由层下方的合成反铁磁(SAF)结构，以及所述三层合成铁磁体自由层和所述SAF结构之间的隧穿势垒层。

4.如权利要求3所述的读取器，其特征在于，所述三层合成铁磁体自由层包括所述隧穿势垒层上方的底部磁性层、所述底部磁性层上方的中间磁性层、和所述中间磁性层上方的顶部磁性层，并且其中，所述底部磁性层和所述中间磁性层由第一间隔层分隔，并且所述中间磁性层和所述顶部磁性层由第二间隔层分隔。

5.如权利要求4所述的读取器，进一步包括在第一方向上提供偏置磁场的至少一个侧屏蔽件。

6.一种形成读取器的方法，包括：

通过以下方式形成读取传感器：

形成多层合成铁磁体自由层，所述多层合成铁磁体自由层具有使得所述多层合成铁磁体自由层偏置的非零净磁化。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述多层合成铁磁体自由层包括形成三层合成铁磁体自由层。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括在所述三层合成铁磁体自由层下方形成合成反铁磁(SAF)结构，以及在所述三层合成铁磁体自由层和所述SAF结构之间形成隧穿势垒层。

9.一种装置，包括：

读取传感器，所述读取传感器包括三层合成铁磁体自由层；以及

至少一个侧屏蔽件，所述至少一个侧屏蔽件在第一方向上提供偏置磁场以将所述三层合成铁磁体自由层偏置。

10.如权利要求9所述的装置，进一步包括所述三层合成铁磁体自由层下方的合成反铁磁(SAF)结构，以及所述三层合成铁磁体自由层和所述SAF结构之间的隧穿势垒层。