[发明专利]一种在基材上形成线路的方法在审
| 申请号： | 202110314187.2 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113113320A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张礼冠;许建勇 | 申请（专利权）人： | 江西展耀微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人： | 范胜祥 |
| 地址： | 330013 江西省南昌市临空经济区*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基材 形成 线路 方法 | ||
1.一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，包括以下步骤：
制作隔离层：使悬浮态的介质附着于所述基材的工作面上，并固化形成隔离层；
制作线路区域：去除所述工作面上的部分所述隔离层，以在所述工作面上形成线路区域；
制作镀膜层：对所述工作面进行镀膜处理，以在所述线路区域形成镀膜层；
制作线路：去除所述工作面上的剩余所述隔离层，以制得线路。
2.如权利要求1所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述工作面为曲面。
3.如权利要求1所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，在实施所述制作线路的步骤前，依次循环所述制作隔离层、所述制作线路区域和所述制作镀膜层的步骤；
其中，相邻的两次循环过程中，下一循环过程中制作的所述线路区域与上一循环过程中制作的所述线路区域对应。
4.如权利要求3所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，相邻的两次循环过程中，下一循环过程中制作的所述线路区域在所述工作面上的投影为第一投影，上一循环过程中制作的所述线路区域在所述工作面上的投影为第二投影，所述第二投影位于所述第一投影内。
5.如权利要求1所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述悬浮态的介质为水蒸气。
6.如权利要求5所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述制作线路的步骤还包括使用异丙醇去除所述隔离层。
7.如权利要求1所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述悬浮态的介质为二氧化碳气体。
8.如权利要求7所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述制作线路的步骤还包括使用50℃～80℃热水去除所述隔离层。
9.如权利要求1所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述悬浮态的介质为醋酸钙酒精溶液，所述醋酸钙酒精溶液包括酒精、醋酸钙以及水，其中，所述醋酸钙的含量为所述醋酸钙酒精溶液的30％～37％。
10.如权利要求9所述的一种在基材上形成线路的方法，其特征在于，所述制作线路的步骤还包括使用50℃～80℃的热水去除所述隔离层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
