[发明专利]一种在基材上形成线路的方法在审
| 申请号: | 202110314187.2 | 申请日: | 2021-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN113113320A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
| 发明(设计)人: | 张礼冠;许建勇 | 申请(专利权)人: | 江西展耀微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人: | 范胜祥 |
| 地址: | 330013 江西省南昌市临空经济区*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基材 形成 线路 方法 | ||
本申请公开了一种在基材上形成线路的方法,包括以下步骤,制作隔离层:使悬浮态的介质附着于基材的工作面上,并固化形成隔离层;制作线路区域:去除工作面上的部分隔离层,以在工作面上形成线路区域;制作镀膜层:对工作面进行镀膜处理,以在线路区域形成镀膜层;制作线路:去除工作面上的剩余隔离层,以制得线路。
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种在基材上形成线路的方法。
背景技术
在基材上形成线路的步骤包括:首先在基材上形成隔离层,之后依次对隔离层进行曝光、显影、蚀刻、剥膜等。其中,形成隔离层的步骤具体为:将基材通过热压或涂覆的方式贴上干膜或光刻胶形成隔离层;曝光的步骤具体为:将底片与压好干膜的基材对位,在曝光机上利用紫外光的照射,将底片图形转移到感光干膜/光刻膜上;显影:利用显影液(碳酸钠)的弱碱性将未经曝光的干膜/光刻膜溶解冲洗掉,已曝光的部分保留;蚀刻:未经曝光的干膜/光刻膜被显影液去除后会露出铜面,用酸性氯化铜将这部分露出的铜面溶解腐蚀掉,得到所需的线路;剥膜:将保护铜面的已曝光的干膜/光刻膜用氢氧化钠溶液剥掉,露出线路图形。
现有技术中一般通过压干膜或涂光刻胶的方式在基材上形成隔离层,然而,此种压干膜和光刻胶的方式只适用于在平面上制作线路,而无法在不规则的曲面上制作线路。
发明内容
本申请实施例提供一种在基材上形成线路的方法,通过使悬浮态的介质附着于基材的工作面上,并固化形成隔离层,悬浮态的介质不受工作面形态的限制,能够附着在任意形态的工作面上形成隔离层。
本申请实施例提供了一种在基材上形成线路的方法,包括以下步骤:
制作隔离层:使悬浮态的介质附着于所述基材的工作面上,并固化形成隔离层;
制作线路区域:去除所述工作面上的部分所述隔离层,以在所述工作面上形成线路区域;
制作镀膜层:对所述工作面进行镀膜处理,以在所述线路区域形成镀膜层;
制作线路:去除所述工作面上的剩余所述隔离层,以制得线路。
本申请实施例的有益效果为:采用悬浮态的介质,只需将悬浮态的介质悬浮在基材的工作面所在的一侧,就能够使介质最终附着在工作面上,对工作面的形态无要求,可实现在任意形态的工作面上形成均匀的隔离层,制备工艺简单。
在其中一些实施例中,所述工作面为曲面。
基于上述实施例,相较于热压干膜和涂覆光刻胶形成隔离层的方式,悬浮态的介质能够直接附着在工作面为曲面的基材上,形成更全面、更均匀的隔离层。
在其中一些实施例中,在实施所述制作线路的步骤前,依次循环所述制作隔离层、所述制作线路区域和所述制作镀膜层的步骤;
其中,相邻的两次循环过程中,下一循环过程中制作的所述线路区域与上一循环过程中制作的所述线路区域对应。
基于上述实施例,通过依次循环制作隔离层、制作线路区域和制作镀膜层的步骤,下一循环中的线路区域与上一循环中的线路区域对应,使下一循环中的线路能够与上一循环中的线路对应,从而在基材的工作面上制作多层线路。
在其中一些实施例中,相邻的两次循环过程中,下一循环过程中制作的所述线路区域在所述工作面上的投影为第一投影,上一循环过程中制作的所述线路区域在所述工作面上的投影为第二投影,所述第二投影位于所述第一投影内。
基于上述实施例,通过第二投影位于第一投影内,使下一循环过程中制作的线路能够准确的叠加在上一循环过程中制作的线路上。
在其中一些实施例中,所述悬浮态的介质为水蒸气。
基于上述实施例,通过将悬浮态的介质设计为水蒸气,水蒸气无色无味,降低了对外界环境的污染,同时水蒸气来源广泛,原材料充足。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





