[发明专利]存储器单元编程

说明书

本申请案涉及存储器单元编程。方法以及被配置成执行类似方法的设备可包含将多个存储器单元编程到多个数据状态中的特定数据状态；和对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元：确定被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的相应目标阈值电压的编程电压电平的相应指示；和使用多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的编程电压电平进一步编程所述存储器单元：所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，且特定来说，在一或多个实施例中，本公开涉及用于存储器单元编程的设备和方法。

背景技术

集成电路装置普遍存在于广泛范围的电子装置中。一种特定类型包含存储器装置，时常被简称为存储器。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于各种电子应用的广受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅或电荷阱)或其它物理现象(例如，相变或极化)进行编程，存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可拆卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途在持续扩大。

NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置，如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。阵列中的列包含在一对选择栅极之间，例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间，串联连接在一起的存储器单元串(常常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的超过一个选择栅极的变型是已知的。

存储器中的编程通常通过以下操作实现：施加通过验证脉冲分隔开的多个编程脉冲，以将所选存储器单元群组中的每一存储器单元编程到相应目标数据状态(其可为中间或最终数据状态)。通过这类方案，编程脉冲施加到所选存储器单元的存取线，例如通常被称为字线的那些存取线。在每一编程脉冲之后，通常使用一或多个验证电压电平来验证所选存储器单元的编程。当前编程通常在递增步长脉冲编程(ISPP)方案中使用多个编程脉冲，其中每一编程脉冲是将存储器单元阈值电压移动某一量的单电平脉冲。在每一编程脉冲之前，字线可经预充电，并且在每一编程脉冲之后，字线可放电。这可引起高电力消耗。

发明内容

本申请案的一方面针对于一种设备，其包括：存储器单元阵列；存取线，其连接到多个存储器单元；和控制器，其用于存取所述存储器单元阵列，其中所述控制器被配置成致使所述设备：将所述多个存储器单元编程到多个数据状态中的特定数据状态；和对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元：确定被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的相应目标阈值电压的编程电压电平的相应指示；和使用多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的编程电压电平进一步编程所述存储器单元：所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。