[发明专利]光刻掩模组件及其制造方法

说明书

根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该通风部件区域包括多个通风部件。本申请的实施例还涉及制造光刻掩模组件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及光刻掩模组件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。在集成电路的发展过程中，功能密度(即每个芯片区互连器件的数量)普遍增加，而其几何尺寸(即使用制造工艺中可制造的最小组件或线)已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小增加了处理和制造IC的复杂性，为实现这些进步，在IC制造中的类似发展。

例如，传统的透射光刻正在被反射光刻补充或替代。IC通常是通过使用一组光刻掩模在半导体衬底上将部件分层来组装的。透射掩模具有由透射区域形成的图案。在光刻曝光期间，诸如紫外光的辐射在撞击到衬底上的光刻胶涂层之前穿过掩模的透射区域。掩模将图案转移到光刻胶上。相反，反射掩模包括反射和非反射区域。在曝光期间，使用从掩模反射的光在衬底上形成图案。在任一类型的曝光之后，选择性地去除光刻胶以暴露图案。然后，衬底经过利用剩余光刻胶形状的处理步骤，在衬底上创建电路部件。当处理步骤完成时，再次涂敷光刻胶，并使用下一个掩模对衬底进行曝光。这样，部件被分层以产生最终电路。

反射掩模在许多应用中具有优势，因为它们可以与相对较高频率的辐射例如极紫外(EUV)辐射结合使用。用于EUV辐射的反射掩模包括掩模衬底，在掩模衬底上用作反射镜的反射层，以及在反射层上方的EUV吸收层。EUV吸收层被图案化，以选择性地暴露所述下面的反射层，使得入射EUV辐射被剩余的EUV吸收层吸收，但是被暴露的反射层反射。用于EUV辐射的传统反射掩模包括无图案区域，其中EUV吸收层的连续跨度没有任何图案。暴露于EUV辐射可在无图案区域中引起起泡或甚至分层，影响掩模的质量和寿命。因此，虽然现有的反射掩模和反射光刻通常对于它们的预期目的是足够的，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种光刻掩模组件，包括：光刻掩模组，所述光刻掩模组包括：覆盖层，设置在衬底上方，以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层包括：第一主部件区域，第二主部件区域，以及第一通风部件区域，设置在所述第一主部件区域与所述第二主部件区域之间，其中，所述第一通风部件区域包括多个通风部件。

本申请的另一些实施例提供了一种制造光刻掩模组件的方法，包括：接收光刻掩模设计，所述光刻掩模设计包括第一主部件区域、第二主部件区域以及第一主部件区域和第二主部件区域之间的分隔区域；分别确定所述第一主部件区域、所述第二主部件区域和所述分隔区域内的通风部件插入区域；在光刻掩模设计的通风部件插入区域中插入多个通风部件以产生修改的光刻掩模设计；以及基于所述修改的光刻掩模设计制造光刻掩模。

本申请的又一些实施例提供了一种制造光刻掩模组件的方法，包括：接收光刻掩模设计，所述光刻掩模设计包括多个印刷部件和多个无图案区域；当模板形状适合多个无图案区域时，在光刻掩模设计中识别通风部件插入区域；在光刻掩模设计的通风部件插入区域中插入多个通风部件以获得修改的光刻掩模设计；以及基于所述修改的光刻掩模设计制造光刻掩模。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。需强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的各个方面的用于执行光刻技术的光刻系统的框图。

图2是根据本发明的各个方面的掩模衬底的局部截面图。

图3是根据本发明的各个方面的制造用于曝光负型光刻胶的反射掩模的方法的流程图。