[发明专利]一种显示装置及其影像感测方法在审
申请号: | 202110309449.6 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN114400238A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 钟润文;傅旭文 | 申请(专利权)人: | 广州印芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/13 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;曹娜 |
地址: | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 影像 方法 | ||
本发明提供了一种显示装置及其影像感测方法,应用于指纹影像辨识的环境中。该显示装置包括:基板、覆盖面板、单位像素。首先,显示装置上的单位像素交替发光,当一部分的单位像素发光时处于发光状态,并且另一部分的单位像素不发光时处于感测状态;接着,将单位像素中处于发光状态的部分作为发光区域;之后,将单位像素中处于感测状态的部分作为感测区域;之后,发光区域中的一部分单位像素发射入射光至待测物,入射光发射至待测物后产生反射光;最后,感测区域的一部分单位像素感测所述反射光,并且感测区域产生影像电讯号。由此,本发明的显示装置不仅作为发光组件,还可以作为指纹影像辨识的感测组件,达成降低成本及广泛适用性的目的。
技术领域
本发明有关一种显示装置,特别关于一种应用于指纹影像辨识的显示装置及其影像感测方法。
背景技术
随着手机技术的推陈出新及手机用户需求的不断提高,为了达到更佳的用户体验,智能型手机的显示屏幕已朝向全屏设计发展。其中,为了提供解锁辨识,屏下光学式指纹辨识是目前市面上常见的使用方案。不仅在智能型手机的应用领域,在大楼指纹识别系统、企业出勤指纹识别系统等,都可以采用光学式指纹辨识作为应用。
目前市面上的屏下指纹辨识有三种利用有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)屏幕的开发方向:(1)直接在屏幕下方布置至少一片薄型的互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)传感器平贴于屏幕下方,利用OLED的子像素之间缝隙让光线穿透过去,进而识别指纹,上述的技术特征模拟于电容式触控面板的单片式玻璃触控面板(One Glass Solution,OGS)或者单片式电容触控面板(Touch on Lens,TOL),也可达成微缩感测芯片并搭配成像镜组,以制作镜头式感测模块装设于显示屏幕下方;(2)以薄膜晶体管制程,利用非晶硅(a-Si:H)及多晶硅(poly-Si)对可见光的敏感性,在玻璃基板上或软性基板上(例如:聚酰亚胺薄膜)制作出光敏感组件,贴装于OLED屏幕下方,还可以当作封合玻璃与OLED面板封合,用来感测指纹信息,上述的技术特征模拟于电容式触控面板,在本领域中具有基本常识的人也可称其为on-cell;(3)将影像传感器插入OLED的像素点之间,在薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)基板上的每一组像素(R/G/B)之外再设置一颗有机光传感器(Organic Photodiode,OPD)作为感测组件,上述的技术特征模拟于电容式触控面板,在本领域中具备基本常识的人也可称其为in-cell。
然而,使用上述的方案(1)的问题在于,随着用户对于显示装置画质的追求,以及OLED显示装置设计和制程技术的成熟,OLED面板上所具有的单位像素日益增加,使得OLED的子像素之间的缝隙日益减小,屏下指纹辨识技术逐渐难以借由OLED的子像素之间缝隙让光线穿透过去,使得上述的方案(1)实施的困难度增加。并且,使用上述的方案(2)的问题同上述方案(1)所面临的问题及风险,使得上述的方案(2)实施的困难度也相应增加。使用上述的方案(3)的问题在于,缩小影像传感器并插入OLED的像素点之间的技术方案,造成OLED面板上所具有的单位像素减少,从而降低了OLED面板的分辨率。
因此,本方案发明人在观察上述问题后,提出了本发明。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示装置,具有多个单位像素,所述多个单位像素交替发光,当所述多个单位像素的一部分发光时处于一发光状态,所述多个单位像素的另一部分不发光时处于一感测状态。因此,将所述多个单位像素中处于发光状态的部分作为屏下指纹辨识的发射器,将所述多个单位像素中处于感测状态的部分作为屏下指纹辨识的传感器,在不影响面板像素的前提下,影像提供一种高效能的影像辨识。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的