[发明专利]降低光波导损耗的处理方法及装置在审

专利信息
申请号: 202110292430.5 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113206011A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 颜博霞;亓岩;白谋;王延伟;韩哲;范元媛 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 佟林松
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 降低 波导 损耗 处理 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

将划片后的芯片依次进行升温阶段、恒温阶段和降温阶段的处理;

其中,升温阶段为:以预定升温速率升温至200~250℃;

恒温阶段为:在200~250℃保持一定时间;

降温阶段为:以预定降温速率降温至50±5℃。

2.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,所述升温阶段的升温速率为1~5℃/min,时间为30~90min;

优选的,所述升温阶段的升温速率为2~4℃/min,时间为60~90min。

3.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,所述恒温阶段温度为200℃或250℃;时间为60~180min;

优选的,所述恒温阶段恒温时间为90~150min。

4.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,所述降温阶段的降温速率为1~5℃/min;

优选的,所述降温阶段以2~3℃/min降温至50±5℃。

5.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,在升温阶段之前对所述划片后的芯片进行清洗处理:采用半导体标准工艺清洗划片后的芯片。

6.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法,其特征在于,所述芯片为光子芯片;

优选的,所述光子芯片为在基底材料上制作光波导或光子器件的集成光子芯片。

7.一种降低光波导损耗的处理装置,其特征在于,权利要求1-6任一项所述的降低光波导损耗的处理方法基于所述处理装置进行,所述处理装置包括加热装置和导热件;所述加热装置至少包括加热板和与所述加热板控制连接的温控系统,所述温控系统用于控制所述加热板的温度变化呈先上升后保持再下降的温度曲线;所述加热板具有外露设置的加热表面;所述导热件放置于所述加热表面上,其用于承载光子芯片。

8.根据权利要求7所述的处理装置,其特征在于,所述导热件的第一侧面与所述加热板的加热表面相抵接,所述导热件上与所述第一侧面相对的第二侧面外露设置,且其用于承载光子芯片;

所述导热件为金属承载板,厚度为1~3mm;

所述加热板上加热表面与所述导热件上第二侧面的面积比为(5:4)~(10:9)。

9.根据权利要求8所述的处理装置,其特征在于,所述加热板上设有限位标识线,所述限位标识线与所述导热件上第一侧面的边缘对齐设置。

10.根据权利要求7所述的处理装置,其特征在于,所述加热装置还包括支撑台和警报器,所述加热板设置在所述支撑台上;所述警报器与所述温控系统控制连接。

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