[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法

说明书

本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分：R：≥30.0wt.％，R为稀土元素，Nb：0.1～0.3wt.％；B：0.955～1.2wt.％；Fe：58～69wt.％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的百分比；所述的R‑T‑B磁体中还含有Co和Ti；所述R‑T‑B磁体中，所述Co的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为4～10。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中各组分之间的配合关系，可制备为剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平的磁体材料。

技术领域

本发明涉及一种R-T-B磁体及其制备方法。

背景技术

钕铁硼永磁体材料作为一类重要的稀土功能材料，拥有优良的综合磁性能，被广泛应用于电子行业、电动汽车等诸多领域。但目前的钕铁硼磁体材料的综合磁性能较差，难以制备得到性能更优异的产品，无法满足社会需求。

例如中国专利文献CN106158204A公开了一种钕铁硼永磁体材料，其由如下重量百分比的组分组成：PrNd 15～30％、Gd 3～6％、Ga 0.05～0.15％、B 0.5～1.2％、Co 0.6～1.2％、Al 0.3～0.8％、Cu 0.05～0.3％、Mo 0.05～0.3％、Ti 0.05～0.3％，余量为Fe。该专利文献中通过上述配方的添加获得了较细的晶粒组织，低熔点金属先在晶间溶解，提高了高熔点金属在液相中的溶解性，使之在晶间区域均匀分布，而高熔点金属能够阻碍晶粒的长大，细化晶粒。但是该配方下的钕铁硼磁体的剩磁和矫顽力仍然在较低的水平。

寻求一种钕铁硼磁体的配方，能够得到剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平，以符合目前高要求领域的应用，是目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明为了解决现有技术中存在的R-T-B磁体配方的协同配合效果较低，得到的磁体材料的剩磁、矫顽力和方形度无法同时达到较高水平的缺陷，而提供了一种R-T-B磁体及其制备方法。本发明中的R-T-B磁体中各组分之间的特定配合，可制备为剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平的磁体材料。

本发明主要是通过以下技术方案解决以上技术问题的。

本发明提供了一种R-T-B磁体，其包括以下组分：

R：≥30.0wt.％，R为稀土元素，

Nb：0.1～0.3wt.％；

B：0.955～1.2wt.％；

Fe：58～69wt.％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的百分比；所述的R-T-B磁体中还含有Co和Ti；所述R-T-B磁体中，所述Co的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为4～10。

本发明中，根据所述的R-T-B磁体可知，上述的各组分总质量包括Co和Ti的质量含量。

本发明中，所述R的含量较佳地为30～32wt.％，例如30.5wt.％、30.6wt.％或30.7wt.％。

本发明中，所述R中一般还可包括Nd。

其中，所述Nd的含量可为本领域常规，所述Nd较佳地为22～32wt.％，例如28.2wt.％、28.4wt.％、29.2wt.％、29.3wt.％、29.4wt.％、29.5wt.％、29.8wt.％、29.9wt.％或30.3wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比。

本发明中，所述R的种类一般还包括Pr和/或RH，所述RH为重稀土元素。

其中，所述Pr的含量较佳地在0.3wt.％以下，例如0.2wt.％，wt.％为占各组分总质量的百分比。