[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法

说明书

本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分：R：≥30.0wt.％，所述R为稀土元素；Cu：0.16～0.6wt.％；Ti：0.4～0.8wt.％；Ga：≤0.2wt.％；B：0.955～1.2wt.％；Fe：58～69％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。本发明中的R‑T‑B磁体具备较高的剩磁、矫顽力、方形度和高温稳定性。

技术领域

本发明涉及一种R-T-B磁体及其制备方法。

背景技术

钕铁硼永磁体材料作为一类重要的稀土功能材料，拥有优良的综合磁性能，被广泛应用于电子行业、电动汽车等诸多领域。但目前的钕铁硼磁体材料的温度稳定的较差，使其在高温领域的应用受到限制。

例如中国专利文献CN102412044A公开了一种钕铁硼磁体材料，其包括以下质量含量的组分：Nd：23～30％、Dy：0.5～8％、Ti：0.2～0.5％、Co：2.5～4、Nb：0.2～3.8％、Cu：0.05～0.7％、Ga：0.01～0.9％、B：0.6～1.8％。该专利文献仅仅记载了该配方通过Ti、Ga和Co复合添加的方式，将材料的耐腐蚀性大大提高，同时Ga替代Dy在材料中发挥部分作用，降低了成本。但是该专利中并未进一步研究其会对磁体材料的性能产生何种影响。其实施例公开了以质量含量的组分：Nb：28.3％、Dy：3.2％、Ti：0.3％、Co：2.7％、Nb：0.7％、Cu：0.4％、Ga：0.25％、B：1.2％。该磁体材料的配方并不能够充分利用各个元素对钕铁硼类磁体材料磁性能的提升，无法得到兼具矫顽力、剩磁和高温稳定性均较佳的磁体材料。

目前，还需进一步优化现有技术中钕铁硼磁体材料的配方，以得到综合磁性能更佳的磁体材料。

发明内容

本发明为了解决现有技术中存在的钕铁硼磁体材料的配方得到的磁体的剩磁、矫顽力、高温稳定性和方形度无法同时达到较高水平的缺陷，而提供了一种R-T-B磁体及其制备方法。本发明中的R-T-B磁体中特定元素种类和特定含量之间的配合，能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度、高温稳定性也较佳的磁体材料。

本发明主要是通过以下技术方案解决上述技术问题的。

本发明还提供了一种R-T-B磁体，其包括以下组分：R：≥30.0wt.％，所述R为稀土元素；

Cu：0.16～0.6wt.％；

Ti：0.38～0.8wt.％；

Ga：≤0.2wt.％；

B：0.955～1.2wt.％；

Fe：58～69％；wt.％为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。

本发明中，所述R的含量较佳地在30.5wt.％以上，更佳地为30.5～32wt.％，例如30.6wt.％或32wt.％。

本发明中，所述的R一般还可包括Nd。

其中，所述Nd的含量较佳地为29～31wt.％，例如28.6wt.％、29.6wt.％、29.8wt.％、30wt.％、30.2wt.％、30.4wt.％、30.6wt.％或31wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比。

本发明中，所述R中一般还可包括Pr和/或RH，所述RH为重稀土元素。

其中，所述Pr的含量较佳地在0.3wt.％以下。

其中，所述RH的含量较佳地在2wt.％以下，例如0.2wt.％、0.4wt.％、0.6wt.％、0.8wt.％、1wt.％或2wt.％，wt.％为占各组分总质量的质量百分比。

其中，所述RH的种类较佳地包括Tb和/或Dy。