[发明专利]一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片有效
| 申请号： | 202110283309.6 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113037263B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 原怡菲 | 申请（专利权）人： | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 正压 控制 低插损高 隔离 单刀 开关 芯片 | ||
1.一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片，其特征在于，包括晶体管M1~M4，偏置电阻R1~R4，隔直电容C1~C5，电感L1~L5；其中，
所述晶体管M1的栅端通过偏置电阻R1与第一控制电压端连接；所述晶体管M1的漏端与电感L1一端、晶体管M2的漏端连接，所述电感L1的另一端通过隔直电容C1与射频信号输入端连接；所述晶体管M1的源端与电感L2的一端、晶体管M3的漏端连接，所述电感L2的另一端通过隔直电容C2与第一信号输出端连接；所述晶体管M3的源端与隔直电容C4一端连接，所述隔直电容C4的另一端通过电感L4接地；所述晶体管M3的栅端通过偏置电阻R3与第二控制电压端连接；
所述晶体管M2的栅端通过偏置电阻R2与第二控制电压端连接；所述晶体管M2的源端与电感L3的一端、晶体管M4的漏端连接，所述电感L3的另一端通过隔直电容C3与第二信号输出端连接；所述晶体管M4的源端与隔直电容C5的一端连接，所述隔直电容C5的另一端通过电感L5接地，所述晶体管M4的栅端通过偏置电阻R4与第一控制电压端连接。
2.如权利要求1所述的一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片，其特征在于，所述晶体管为：PMOS、NMOS、pHEMT或LDMOS。
3.如权利要求1所述的一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片，其特征在于，所述电感L1~L3采用芯片内部的电感和键合金线，或，芯片内部的电感和金带，或，单独采用键合金线或金带；
所述电感L4和L5采用键合金线或金带。
4.如权利要求1所述的一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片，其特征在于，所述电感L1~L5任一个电感均可使用多个并联的电感替换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安博瑞集信电子科技有限公司，未经西安博瑞集信电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110283309.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
