[发明专利]一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置

说明书

本发明提供一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置。所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层；阵列基板包括多个像素电极以及多个虚拟电极，像素电极包括主像素电极和子像素电极；彩膜基板包括公共电极层，公共电极层包括对应于主像素电极设置的多个第一子电极和对应于子像素电极设置的多个第二子电极；其中，第一子电极和第二子电极之间设有黑色光阻。本发明在不增加光刻次数的前提下将彩膜基板上的公共电极层分区，对应于阵列基板上的主像素电极和子像素电极分别给不同的电压，使得主像素电极与第一子电极之间、子像素电极与第二子电极之间形成最佳的电压差，降低闪烁等显示不良。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其制备方法、液晶显示装置。

背景技术

VA(Vertical Alignment，垂直配向)型液晶显示面板具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势，但由于采用垂直配向的液晶，液晶分子的双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏问题比较严重。降低色偏是VA型液晶显示面板的发展要求。目前解决VA型液晶显示面板色偏的主流方法是采用多畴(multi domain)，如8畴显示的像素设计，使同一个子像素内主像素电极(PE_main)的4个畴与子像素电极(PE_Sub)的4个畴的液晶分子转动角度不一样，从而改善色偏。

请参阅图1，为传统8畴显示的像素设计的等效电路图，阵列基板上的主像素电极(PE_main)的电压通过主薄膜晶体管(Main TFT)控制，子像素电极(PE_Sub)的电压通过子薄膜晶体管(Sub TFT)和分压薄膜晶体管(Share TFT)共同控制。如图1所示，子薄膜晶体管(Sub TFT)的栅极与扫描线(Gate)电性连接，子薄膜晶体管(Sub TFT)的漏极与数据线(Data)电性连接，子薄膜晶体管(Sub TFT)的源极与子像素电极(PE_Sub)电性连接；分压薄膜晶体管(Share TFT)的漏极与子像素电极(PE_Sub)电性连接，分压薄膜晶体管(ShareTFT)的源极与分压电极(Share Com)电性连接。当子薄膜晶体管(Sub TFT)和分压薄膜晶体管(Share TFT)均打开时，电压大小关系为DataPE_SubShare Com，当扫描线(Gate)关闭时，子薄膜晶体管(Sub TFT)会先关闭(当栅极电压Gate降到低于PE_Sub以下就关闭)，而分压薄膜晶体管(Share TFT)的栅极电压Gate得降到Share Com以下才关闭，导致在子薄膜晶体管(Sub TFT)关闭之后、分压薄膜晶体管(Share TFT)关闭之前这段时间，PE_Sub与ShareCom之间依然轻微导通，出现PE_Sub向Share Com漏电的现象，导致PE_Sub的电位会低于设定的电位。

如图1所示，彩膜基板上的公共电极层(CF Com)与阵列基板上的主像素电极(PE_main)和子像素电极(PE_Sub)之间分别形成液晶电容Cmain、Csub。现有技术的彩膜基板上的公共电极层(CF Com)是整面沉积的，即CF Com只有一个电位，由于PE_Sub的电位低于设定的电位，导致主像素电极(PE_main)和子像素电极(PE_Sub)需求的CF Com电压不同，导致主像素电极(PE_main)和子像素电极(PE_Sub)之中必有一个不是理想的CF Com电压(BestVcom)，当正负帧时会出现闪烁等显示不良。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种液晶显示面板，用于解决现有技术的液晶显示面板，其子薄膜晶体管向分压薄膜晶体管漏电，导致子像素电极的电位低于设定电位，导致主像素电极和子像素电极的其中一个与公共电极层之间的电压差不理想，导致正负帧时出现闪烁等显示不良的技术问题。