[发明专利]刷新电路及存储器有效
申请号: | 202110277829.6 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN112786087B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 曹先雷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/408 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刷新 电路 存储器 | ||
本发明实施例提供一种刷新电路及存储器,刷新电路包括:行锤地址生成模块,用于接收行激活命令、预充电命令以及所述行激活命令对应的单行地址,输出所述单行地址对应的行锤地址,每一所述单行地址与一字线对应,所述行激活命令用于开启所述单行地址指向的字线,所述预充电命令用于关闭所述字线;若所述字线的单次开启时间大于预设时间,输出所述行锤地址;信号选择器,用于接收所述行锤地址和常规刷新地址,并至少输出所述行锤地址,所述信号选择器输出的所述行锤地址和所述常规刷新地址作为刷新命令对应的刷新对象。本发明实施例有利于提高数据存储准确性。
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种刷新电路及存储器。
背景技术
随着半导体存储装置的密度不断增加,存储器单元呈现物理体积缩小、存储电荷减少以及抗噪声容限降低的特点,存储器单元之间的电磁相互作用对存储器单元的影响增大,存储器单元数据丢失的可能性增加。
具体地,当存储器单元中某一单行地址的单次开启时间过长时,可能引发相邻地址(一般称为“行锤地址”)的电容器的放电速率高于自然放电速率,进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失,这种情况一般称之为“行锤效应”;为抑制行锤效应,需要对行锤地址进行及时的刷新操作,以重新补充电荷,避免存储数据发生错误。
发明内容
本发明实施例提供一种刷新电路及存储器,有利于及时刷新行锤地址,保证行锤地址的数据存储准确性。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种刷新电路,包括:行锤地址生成模块,用于接收行激活命令、预充电命令以及所述行激活命令对应的单行地址,输出所述单行地址对应的行锤地址,每一所述单行地址与一字线对应,所述行激活命令用于开启所述单行地址指向的字线,所述预充电命令用于关闭所述字线;若所述字线的单次开启时间大于预设时间,输出所述行锤地址;信号选择器,用于接收所述行锤地址和常规刷新地址,并至少输出所述行锤地址,所述信号选择器输出的所述行锤地址和所述常规刷新地址作为刷新命令对应的刷新对象。
另外,所述单行地址为m,m为正整数;所述行锤地址包括:第一单行地址,所述第一单行地址为m-1;第二单行地址,所述第二单行地址为m+1。
另外,所述行锤地址生成模块包括:计时单元,用于接收所述行激活命令和所述预充电命令,以获取所述单次开启时间,若所述单次开启时间大于所述预设时间,则输出超时信号;行地址锁存单元,用于接收所述单行地址并连接所述计时单元的输出端,若接收到所述超时信号,则锁存并输出所述单行地址;行锤地址生成单元,用于接收所述行地址锁存单元输出的所述单行地址,并输出所述单行地址对应的所述行锤地址。
另外,所述行地址锁存单元用于顺序输出每一所述超时信号对应的单行地址,且在后输出的单行地址代替在先输出的单行地址,所述行锤地址生成单元用于顺序输出接收到的每一所述单行地址对应的行锤地址,且在后输出的行锤地址替代在先输出的行锤地址。
另外,所述计时单元包括:第一计数单元,用于接收所述行激活命令、所述预充电命令以及时钟信号,并在接收到所述行激活命令之后、接收到所述预充电命令之前,对接收到的所述时钟信号的周期个数进行计数,输出第一计数值;比较单元,用于接收第一计数值,若所述第一计数值大于预设计数值,输出所述超时信号;其中,所述预设计数值等于所述预设时间除以所述时钟信号的周期。
另外,所述第一计数单元包括由多个D触发器串联组成的异步二进制加法计数器。
另外,所述计时单元还包括:存储子单元,用于写入并存储所述预设计数值,所述存储子单元的输出端与所述比较单元的输入端连接,所述比较单元用于通过所述存储子单元获取所述预设计数值。
另外,所述预设计数值可调。
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