[发明专利]一种浅沟槽及其形成方法、半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110276538.5 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115083996A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郑磬镐;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 及其 形成 方法 半导体 结构 制备 | ||
1.一种形成浅沟槽的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成掩膜；
利用光刻工艺对所述掩膜进行图形化处理；
进行第一次刻蚀，去除部分厚度的半导体衬底，形成初始沟槽；
在所述初始沟槽的侧壁形成氧化硅侧墙；
继续进行第二次刻蚀直至形成最终深度的浅沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成氧化硅侧墙的方法为：蒸镀。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜至少包括堆叠的第一掩膜层和第二掩膜层，并且所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同，所述第一次刻蚀时去除第二掩膜层，所述第二次刻蚀时去除第一掩膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层采用氧化硅且靠近所述衬底，所述第二掩膜层为氮化硅或多晶硅。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掩膜还包括堆叠在所述第二掩膜层上的第三掩膜层；并且所述第二掩膜层和所述第三掩膜层中的一个为氮化硅，另一个为多晶硅；
所述第一次刻蚀时还去除第三掩膜层。
6.一种用于隔离有源区的浅沟槽，其特征在于，包括：
形成有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽将半导体衬底隔离成多个有源区；
靠近所述浅沟槽顶部的半导体衬底上形成有氧化硅侧墙。
7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
利用权利要求1-5任一项所述的方法形成浅沟槽；
在所述浅沟槽内填充介质材料，使半导体衬底上形成多个被隔离的有源区；
在所述有源区制作栅极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
