[发明专利]一种多环稠合有机硼半导体材料及OLED器件应用

权利要求书

1.一种有机发光二极管，由如下部分组成：

(a)一个阴极

(b)一个靠近阴极的电子传输层

(c)一个阳极

(d)一个靠近阳极的空穴传输层

(e)一个夹心于电子传输层与空穴传输层之间的发光层，该发光层含有一种有机半导体化合物，其化学结构通式为：

其中TR环是含有氮原子的五个环或以上的稠合发色团；

Ar、Ar1和Ar2是六元苯环、六元芳杂环、五元芳杂环、碳原子不超过18的五元或六元稠合芳杂环、以上各类环的R1取代物；

R1是满足苯环或芳杂环价键数量的一个或多个取代，可选取代为H、D、F、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为1-12的烷氧基、碳原子数为1-12的环烷基、碳原子数为1-12的含氟烷基、碳原子数为1-12的含氘烷基、碳原子数为1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳杂基、取代稠合芳杂基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2为C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳杂基取代、C7-C16的稠合芳杂基取代；

R1可选为一化学交联基团。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光二极管中的发光层有机半导体化合物包含如下结构化合物：

其中的X1-X8为C或N原子；

Ar、Ar1和Ar2是六元苯环、六元芳杂环、五元芳杂环、碳原子不超过18的五元或六元稠合芳杂环、以上各类环的R1取代物；

R1-R3是满足苯环或芳杂环价键数量的一个或多个取代，可选取代为H、D、F、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为1-12的烷氧基、碳原子数为1-12的环烷基、碳原子数为1-12的含氟烷基、碳原子数为1-12的含氘烷基、碳原子数为1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳杂基、取代稠合芳杂基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2为C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳杂基取代、C7-C16的稠合芳杂基取代；

R1-R3可选为一化学交联基团。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光二极管中的发光层有机半导体化合物包含如下结构化合物：

其中的X为C或N原子；

Ar、Ar1和Ar2是六元苯环、六元芳杂环、五元芳杂环、碳原子不超过18的五元或六元稠合芳杂环、以上各类环的R1取代物；

R1-R3是满足苯环或芳杂环价键数量的一个或多个取代，可选取代为H、D、F、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为1-12的烷氧基、碳原子数为1-12的环烷基、碳原子数为1-12的含氟烷基、碳原子数为1-12的含氘烷基、碳原子数为1-12的硅烷基、苯基、取代苯基、呋喃基、取代呋喃基、噻吩基、取代噻吩基、吡啶基、取代吡啶基、奈基、取代奈基、蒽基、取代蒽基、芴基、咔唑基、取代咔唑基、稠合芳杂基、取代稠合芳杂基、-N(Y1Y2)、-OY1、-SY1，其中Y1及Y2为C1-C12烷基取代、C6-C16的芳基取代、C5-C16的芳杂基取代、C7-C16的稠合芳杂基取代；

R1-R3可选为一化学交联基团。

4.根据权利要求1、2、3所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光二极管中的发光层有机半导体化合物具有如下结构：

5.根据权利要求1、2、3所述的有机发光二极管，其特征是所述的发光二极管中的发光层有机半导体化合物中R1、R2、R3含有一个或多个可交联基团，可交联基团选自乙烯基、丙烯酸脂或三氟乙烯基。