[发明专利]热变形钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 202110268936.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035558A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张铁桥;于荣;程志英 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变形 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备热变形钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括：
(1)将第一合金粉末与快淬Nd-Fe-B粉末混合后依次经过冷压预成型、热压烧结和热变形进行掺杂晶界扩散，以便得到掺杂后热变形磁体；
(2)将第二合金置于所述掺杂后热变形磁体的表面并加热进行表面晶界扩散，以便得到热变形钕铁硼磁体；
其中，所述第一合金为Tb-Cu合金或/和Dy-Cu合金，所述第二合金为Nd-Cu合金或/和Pr-Cu合金。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述Tb-Cu合金的化学式为TbxCu100-x，所述Dy-Cu合金的化学式为DyxCu100-x，50≤x≤85。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述第一合金粉末占所述快淬Nd-Fe-B粉末总重量的1％～10％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述热压烧结在真空或惰性气氛保护下进行，所述真空条件为真空度不大于10-2Pa，所述热压烧结温度为600～700℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述热变形在真空或惰性气氛保护下进行，所述真空条件为真空度不大于10-2Pa，所述热变形温度为675～800℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述Nd-Cu合金的化学式为NdxCu100-x，所述Pr-Cu合金的化学式为PrxCu100-x，50≤x≤85。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述第二合金为粉末或薄片。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述表面晶界扩散过程在真空或惰性气氛保护下进行，所述真空条件为真空度不大于10-2Pa，所述扩散温度为550～675℃，扩散时间为20～60分钟。
9.一种热变形钕铁硼磁体，其特征在于，采用权利要求1～8中任一项所述的方法制备得到。
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