[发明专利]基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法。基板处理装置具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至所述基板载置台；以及控制部，其控制所述第一高频电源，其中，所述第一高频电源具备反射波检测器，该反射波检测器检测从所述基板载置台输入的反射波，所述控制部根据处理内容来决定设定值，控制所述第一高频电源以使有效功率成为所述设定值，所述有效功率是从所述第一高频电源的输出功率减去所述反射波检测器检测到的所述反射波的功率所得到的差。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、基板处理系统、基板处理装置的控制方法以及基板处理系统的控制方法。

背景技术

例如，专利文献1中公开了一种能够在高频电源中稳定地控制负载功率的等离子蚀刻装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-090770号公报

发明内容

发明要解决的问题

寻求一种在等离子蚀刻装置中根据处理内容来以期望的处理特性进行处理的技术。

用于解决问题的方案

根据本公开的一个方式，提供一种基板处理装置，具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至所述基板载置台；以及控制部，其控制所述第一高频电源，其中，所述第一高频电源具备反射波检测器，该反射波检测器检测从所述基板载置台输入的反射波，所述控制部根据处理内容来决定设定值，控制所述第一高频电源以使有效功率成为所述设定值，所述有效功率是从所述第一高频电源的输出功率减去所述反射波检测器检测到的所述反射波的功率所得到的差。

发明的效果

本公开提供一种在等离子蚀刻装置中根据处理内容来以期望的处理特性进行处理的技术。

附图说明

图1是示出本实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构的截面图。

图2是示出本实施方式所涉及的基板处理装置的用于生成等离子体的高频电源和匹配器的结构的框图。

图3是示出本实施方式所涉及的基板处理装置的用于吸引离子的高频电源和匹配器的结构的框图。

图4是说明本实施方式所涉及的基板处理装置的控制部的处理的流程图。

图5是说明在本实施方式所涉及的基板处理装置中供给了高频电力时的等离子体电子密度的图。

图6是说明在本实施方式所涉及的基板处理装置中对反射波进行频率分析所得到的结果的图。

图7是说明在本实施方式所涉及的基板处理装置中供给了高频电力时的等离子体电子密度的图。

图8是说明在本实施方式所涉及的基板处理装置中调整装置间的等离子体电子密度的图。

附图标记说明

1：基板处理装置；1A：基板处理装置；1B：基板处理装置；1S：基板处理系统；10：载置台；21a：第一高频电源；21b：第二高频电源；43：控制部；66a：功率监视器。

具体实施方式