[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜

说明书

提供透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(2)的制造方法中，一边沿长度方向输送长条透明薄膜(10)，一边在长条透明薄膜(10)的一个面上形成透明导电层(22)。透明导电层(22)通过一边沿成膜辊(15)的周面输送长条透明薄膜(10)一边溅射来形成。透明导电层(22)的厚度超过35nm。透明导电层(22)在形成时与长条透明薄膜(10)的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm²以上。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜，详细而言，涉及透明导电性薄膜的制造方法、和利用该透明导电性薄膜的制造方法制造的透明导电性薄膜。

背景技术

目前，已知利用辊对辊方式在基材薄膜上层叠透明导电层而制造导电性薄膜的方法。

作为这样的方法，例如提出了如下方法：一边沿成膜辊的周面输送长条的PET薄膜基材，一边通过溅射层叠厚度25nm的ITO膜，从而制造透明导电性薄膜(例如参照专利文献1的实施例。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-234796号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，一边沿成膜辊的周面输送长条基材一边在长条基材的一个面上层叠透明导电层时，存在如下的情况：如果输送张力低，则不能实现长条基材和成膜辊的密合，长条基材的宽度方向外侧(短边方向两端)浮起。

在这样的情况下，无法利用成膜辊对长条基材的短边方向外侧进行充分冷却。

于是，层叠在长条基材的短边方向外侧的透明导电层与层叠在长条基材的短边方向内侧的透明导电层相比，结晶化进展，其结果，表面电阻变低。

另一方面，从降低表面电阻的观点出发，研究了进一步增大透明导电层的厚度。

但是，透明导电层的厚度变厚时，存在层叠在长条基材的外侧的透明导电层与层叠在长条基材的内侧的透明导电层的电阻的差变大的不良情况。

本发明提供具备在短边方向上电阻值的偏差小的透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法、和利用该透明导电性薄膜的制造方法制造的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]为一种透明导电性薄膜的制造方法，其中，一边沿长度方向输送长条透明薄膜、一边在前述长条透明薄膜的一个面上形成透明导电层，前述透明导电层通过一边沿成膜辊的周面输送前述长条透明薄膜一边溅射来形成，前述透明导电层的厚度超过35nm，前述透明导电层在形成时与前述长条透明薄膜的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm²以上。

本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，前述长条透明薄膜为环烯烃薄膜。

本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，前述长条透明薄膜的厚度为10μm以上且70μm以下。

本发明[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，前述透明导电层包含非晶部。

本发明[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，前述透明导电层包含铟锡复合氧化物作为主成分。

本发明[6]包含上述[1]～[5]中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，前述成膜辊的表面温度为20℃以上且60℃以下。