[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法和透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 202110268823.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113393972A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 梶原大辅;碓井圭太 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，一边沿长度方向输送长条透明薄膜、一边在所述长条透明薄膜的一个面上形成透明导电层，
所述透明导电层通过一边沿成膜辊的周面输送所述长条透明薄膜一边溅射来形成，
所述透明导电层的厚度超过35nm，
所述透明导电层在形成时与所述长条透明薄膜的长度方向垂直的截面的每单位面积的输送张力为3.3N/mm2以上。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述长条透明薄膜为环烯烃薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述长条透明薄膜的厚度为10μm以上70μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电层包含非晶部。
5.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述透明导电层包含铟锡复合氧化物作为主成分。
6.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，所述成膜辊的表面温度为20℃以上且60℃以下。
7.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其依次具备长条透明薄膜和透明导电层，
所述透明导电层的厚度超过35nm，
所述透明导电性薄膜通过下述试验测定的第1电阻差和第2电阻差为-10Ω/□以上且10Ω/□以下，
试验：算出由距离透明导电性薄膜的短边方向一侧端部为50mm的部分的电阻值R50减去距离透明导电性薄膜的短边方向一侧端部为30mm的电阻值R30而得到的值R50-R30作为第1电阻差，另外，算出由距离透明导电性薄膜的短边方向另一侧端部为50mm的部分的电阻值R50′减去距离透明导电性薄膜的短边方向另一侧端部为30mm的电阻值R30′而得到的值R50′-R30′作为第2电阻差。
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