[发明专利]一种银合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110266276.4 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN113088749A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 黄宇彬;童培云;朱刘;何坤鹏 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C22C5/06 分类号: C22C5/06;C22C1/02;C22F1/14
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 合金 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种银合金及其制备方法,属于工业材料制备领域。本发明所述银合金产品通过几种元素对银进行掺杂复合制备而得。所述掺杂元素中,钯可有效提高整体材料的耐腐蚀性能,保障其在空气环境中的稳定性;铟的掺杂可带来材料晶粒的细化,其平均粒径可达到100μm以下,从而提高材料均匀性的同时可降低合金后续溅射的难度;铜和镓的引入则可调节材料的导电性、反射性能和透光性能,提高合金材料及其制备的膜层的综合性能。本发明还公开了所述银合金的制备方法,该方法操作步骤简单,可实现工业化大规模生产。

技术领域

本发明涉及工业材料制备领域,具体涉及一种银合金及其制备方法。

背景技术

由于银是一种对光反射率特别高的材料,可以用作制备反射膜层,因此在显示器生产制造领域,银涂层通常用作反射层,调节特定波长的光线反射和吸收。但传统的纯银膜层耐候性不好,在暴露在空气后会发生氧化发黑及腐蚀现象,所以现有产品中通常要通过添加其他镀层对银膜层进行保护,或者对镀层进行掺杂以提高材料耐蚀性能。然而额外镀层的保护性有限,同时增加制备成本,而掺杂的改性方法又难以保障其镀膜的均匀性及粒度要求,对后续溅射沉积造成影响。

发明内容

基于现有技术存在的缺陷,本发明的目的在于提供了一种经复合元素掺杂的银合金,该产品不仅具有良好的耐腐蚀性能,可在空气中长期保持稳定,同时该材料粒径均匀细化,易于溅射,导电性高。

为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:

一种银合金,其含有的化学成分的质量百分比为:钯0.1~1.5%、铟0.1~1.5%、铜0.01~0.5%、镓0.01~0.5%及余量银及不可避免的杂质。

本发明所述银合金通过几种元素对银进行掺杂复合,所述元素中,钯可有效提高整体材料的耐腐蚀性能,保障其在空气环境中的稳定性;铟的掺杂可带来材料晶粒的细化,其平均粒径可达到100μm以下,从而提高材料均匀性的同时可降低合金后续溅射的难度;铜和镓的引入则可调节材料的导电性、反射性能和透光性能,提高合金材料及其制备的膜层的综合性能。

本发明的另一目的还在于提供所述银合金的制备方法,包括以下步骤:

将银、钯、铟、铜和镓按比例混合并置于真空氛围下熔炼后,经锻造、轧制及机加工后,即得所述银合金。

本发明所述银合金的制备方法操作步骤简单,可实现工业化大规模生产。

优选地,所述真空氛围下的真空度为-0.1~-0.08MPa;更优选地,所述真空氛围下的真空度为-0.02MPa。

所述真空度下可保障熔炼过程中各元素充分混合,不会引入杂质及发生氧化反应。

优选地,所述银、钯、铟、铜和镓被置于石墨坩埚进行熔炼。

所述熔炼过程中,若使用常规氧化铝坩埚放置样品,则会导致银材料在熔炼过程中直接吸收炉内电磁感应线圈所产生的涡流,在其表面形成导电打火现象并最终导致熔炼失败。

优选地,所述真空熔炼的温度为1000~1100℃。

所述熔炼过程中,若温度过低,各元素无法充分熔化混合;若温度过高,则会导致银材料的过少现象,致使银挥发严重,材料发生沸腾,最终在浇铸后的铸锭中留下气孔。

优选地,所述锻造的实施温度为800~900℃,终锻温度为700~750℃。

所述实施温度下银合金的屈服强度变低,材料脆性相对减少使其易于锻造,而在此温度下对材料进行锻造也有利于细化材料的晶粒;同时,银合金材料对终锻温度有一定要求,若终锻温度低于700℃,则会导致得到的材料发生开裂现象。

更优选地,所述锻造的每次形变量不低于15%。

通过在适宜温度下对材料进行大形变量的锻造,可进一步提高材料晶粒的细化率。

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