[发明专利]垂直逻辑门结构在审
| 申请号: | 202110263492.3 | 申请日: | 2021-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN113053892A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 郑贸薰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 逻辑 结构 | ||
1.一种垂直逻辑门结构,其包含:
一基板;
一第一通道层,设置于该基板上;
一栅极电极,设置于该第一通道层上,该栅极电极重叠于该第一通道层;
一第一电极,设置于该第一通道层上,且电性连接该第一通道层;
一第二电极,设置于该第一通道层上,且电性连接该第一通道层,该栅极电极、该第一通道层、该第一电极及该第二电极形成一顶栅极晶体管;
一第二通道层,设置于该栅极电极上,该第一电极电性连接该第二通道层,且该第二通道层于一垂直方向上部分重叠于该第一通道层;以及
一第三电极,设置于该第二通道层上,且电性连接该第二通道层,该栅极电极、该第二通道层、该第一电极及该第三电极形成一底栅极晶体管。
2.如权利要求1所述的垂直逻辑门结构,进一步包含:
一第一栅极绝缘层,设置在该第一通道层与该栅极电极之间;
一第二栅极绝缘层,设置于该第一栅极绝缘层上;
一层间介电层,设置于该第二栅极绝缘层上;以及
一屏障保护层,设置于该层间介电层上。
3.如权利要求2所述的垂直逻辑门结构,其中该栅极电极设置在该第一栅极绝缘层与该第二栅极绝缘层之间,该第二通道层、该第一电极、该第二电极及该第三电极设置在该层间介电层与该屏障保护层之间,该第一电极与该第三电极部分重叠于该第二通道层,该第一电极沿着一第一通孔电性连接该第一通道层,该第二电极沿着一第二通孔电性连接该第一通道层。
4.如权利要求3所述的垂直逻辑门结构,其中该栅极电极连接于一输入端,该第一电极连接于一输出端,该第二电极及该第三电极分别连接于一电压源。
5.如权利要求2所述的垂直逻辑门结构,其中该栅极电极设置在该第一栅极绝缘层与该第二栅极绝缘层之间,该第一电极及该第二电极设置在该层间介电层与该屏障保护层之间,该第二通道层及该第三电极设置在该第二栅极绝缘层与该层间介电层之间,该第三电极部分重叠于该第二通道层,该第一电极沿着一第一通孔电性连接该第一通道层,该第二电极沿着一第二通孔电性连接该第一通道层。
6.如权利要求5所述的垂直逻辑门结构,其中该栅极电极连接于一输入端,该第一电极连接于一输出端,该第二电极及该第三电极分别连接于一电压源。
7.如权利要求2所述的垂直逻辑门结构,其中该栅极电极包含一第一栅极及一第二栅极,该第一栅极设置在该第一栅极绝缘层与该第二栅极绝缘层之间,该第二栅极设置在该第二栅极绝缘层与该层间介电层之间,该第二电极和该第三电极形成一延伸电极,该第二通道层、该第一电极及该延伸电极设置在该层间介电层与该屏障保护层之间,该第一电极与该延伸电极部分重叠于该第二通道层,该第一电极沿着一第一通孔电性连接该第一通道层,该延伸电极沿着一第二通孔电性连接该第一通道层。
8.如权利要求1所述的垂直逻辑门结构,该第一栅极连接于一时钟信号源,该第二栅极连接于一反向时钟信号源,该第一电极连接于一输入端,该第二电极及该第三电极连接于一输出端。
9.如权利要求1所述的垂直逻辑门结构,进一步包含一缓冲层,该缓冲层设置在该基板与该第一通道层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110263492.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钢包水口防卷渣挡坝控制方法
- 下一篇:一种安卓多语言学习系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





