[发明专利]微发光器件及具有微发光器件的显示装置

说明书

提供了一种微发光器件和具有该微发光器件的显示装置。微发光器件包括设置在衬底上的第一类型半导体层、设置在第一类型半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层的侧部上的电流阻挡层、设置在超晶格层和电流阻挡层上的有源层以及设置在有源层上的第二类型半导体层。

相关申请的交叉引用

本申请基于在2020年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0114854号并要求其优先权，通过引用将该韩国专利申请整体合并于此。

技术领域

本公开的示例实施例涉及具有提高的发射(emission)效率的微发光器件以及具有该微发光器件的显示装置。

背景技术

液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等被广泛用于显示装置中。近来，已经利用通过使用微尺寸微发光二极管(LED)来制造高分辨率显示装置的技术。

关于微LED，随着芯片尺寸的减小，发射效率降低。此现象是由于在制造微LED尺寸的芯片时发生的侧壁蚀刻损伤而导致的。侧壁蚀刻损伤引起阻止电子-空穴对正常地彼此键合(bonding)的不发射结合(combination)。

发明内容

一个或多个示例实施例提供了一种具有提高的发射效率的微发光器件。

一个或多个示例实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括具有提高的发射效率的微发光器件。

另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从该描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的示例实施例而获知。

根据示例实施例的一方面，提供了一种微发光器件，其包括：衬底；设置在衬底上的第一类型半导体层；设置在第一类型半导体层上的超晶格层；设置在超晶格层的侧部的电流阻挡层；设置在超晶格层上的有源层；和设置在有源层上的第二类型半导体层。

电流阻挡层可以包括多孔层或空气层。

多孔层可以包括氮化镓。

电流阻挡层可包括：与超晶格层的侧部接触的多孔层；和设置在多孔层的侧部上的空气层。

电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。

电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到有源层的侧部。

有源层可以进一步设置在电流阻挡层上。

电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。

微发光器件可以进一步包括设置在有源层的侧壁、第二类型半导体层的侧壁和电流阻挡层的暴露表面上的保护层。

微发光器件可以进一步包括延伸穿过第二类型半导体层、有源层和电流阻挡层并进入第一类型半导体层的通孔。

电流阻挡层可以进一步沿着第一类型半导体层的通孔的周围设置。

微发光器件可以具有大约200μm或更小的直径。

超晶格层可以包括交替堆叠的InGaN层和GaN层。

根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，包括：驱动电路衬底；和设置在驱动电路衬底上并电连接到驱动电路衬底的多个微发光器件，其中，多个微发光器件中的每个微发光器件包括：第一类型半导体层；设置在第一类型半导体层上的超晶格层；设置在超晶格层的侧部上的电流阻挡层；设置在超晶格层上的有源层；和设置在有源层上的第二类型半导体层。

电流阻挡层可以包括多孔层或空气层。

多孔层可以包括氮化镓。