[发明专利]微发光器件及具有微发光器件的显示装置

权利要求书

1.一种微发光器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的第一类型半导体层；

设置在所述第一类型半导体层上的超晶格层；

设置在所述超晶格层的侧部的电流阻挡层；

设置在所述超晶格层上的有源层；和

设置在所述有源层上的第二类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层包括多孔层或空气层。

3.根据权利要求2所述的微发光器件，其中，所述多孔层包括氮化镓。

4.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层包括：

与所述超晶格层的侧部接触的多孔层；和

设置在所述多孔层的侧部上的空气层。

5.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述第一类型半导体层的侧部或所述第一类型半导体层的底部。

6.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述有源层的侧部。

7.根据权利要求1所述的微发光器件，所述有源层还设置在所述电流阻挡层上。

8.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述第一类型半导体层的侧部或所述第一类型半导体层的底部。

9.根据权利要求1所述的微发光器件，还包括设置在所述有源层的侧壁、所述第二类型半导体层的侧壁以及所述电流阻挡层的暴露表面上的保护层。

10.根据权利要求1所述的微发光器件，还包括通孔，所述通孔延伸穿过所述第二类型半导体层、所述有源层和所述电流阻挡层并进入所述第一类型半导体层。

11.根据权利要求10所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层还沿着所述第一类型半导体层的所述通孔的周围设置。

12.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述微发光器件具有约200μm或更小的直径。

13.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述超晶格层包括交替堆叠的InGaN层和GaN层。

14.一种显示装置，包括：

驱动电路衬底；和

多个微发光器件，所述多个微发光器件设置在所述驱动电路衬底上并电连接至所述驱动电路衬底，

其中，所述多个微发光器件中的每个微发光器件包括：

第一类型半导体层，

设置在所述第一类型半导体层上的超晶格层，

设置在所述超晶格层的侧部上的电流阻挡层，

设置在所述超晶格层上的有源层，和

设置在所述有源层上的第二类型半导体层。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述电流阻挡层包括多孔层或空气层。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述多孔层包括氮化镓。

17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述电流阻挡层包括：

与所述超晶格层的侧部接触的多孔层；和

设置在所述多孔层的侧部上的空气层。

18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述第一类型半导体层的侧部或所述第一类型半导体层的底部。