[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构，所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个；

阶梯结构，其具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶；

导电衬垫结构，其处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨；和

导电接触结构，其处于所述导电衬垫结构上。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构另外包括磷、砷、锑、铋、硼、铝、镓、碳、氟、氯、溴和氩中的一或多个。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构中的每一个的至少大部分包括所述贝塔相钨。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述导电结构包括阿尔法相钨。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构直接物理接触所述阶梯结构的所述台阶处的所述堆叠结构的所述层次中的所述至少一些的所述导电结构。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构中的至少一个水平延伸经过直接竖直位于其下的所述阶梯结构的所述台阶中的至少一个的水平边界。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构中的至少一个的水平中心偏离直接竖直位于其下的所述阶梯结构的所述台阶中的至少一个的水平中心。

8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电接触结构在所述导电衬垫结构上大体水平居中。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其另外包括与所述阶梯结构的所述台阶的竖直延伸表面直接水平相邻的介电间隔物结构。

10.一种形成微电子装置的方法，其包括：

形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：

堆叠结构，其包括布置于层次中的绝缘结构和额外绝缘结构的竖直交替序列；和

阶梯结构，其具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶；

在所述阶梯结构的所述台阶上形成经掺杂半导电衬里材料；

将所述经掺杂半导电衬里材料的部分转换成钨衬里材料；

移除所述钨衬里材料的竖直延伸部分以在所述阶梯结构的所述台阶上形成离散钨衬垫结构；

将所述堆叠结构的所述额外绝缘结构至少部分地替换为导电结构；和

在所述离散钨衬垫结构上形成导电接触结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述阶梯结构的所述台阶上形成经掺杂半导电衬里材料包括：

在所述阶梯结构上方形成与所述阶梯结构的所述台阶处的所述堆叠结构的所述额外绝缘结构接触的半导电衬里材料；和

用一或多种掺杂剂掺杂所述半导电衬里材料以形成所述经掺杂半导电衬里材料，所述经掺杂半导电衬里材料的水平延伸部分与所述经掺杂半导电衬里材料的竖直延伸部分相比具有相对较大量的所述一或多种掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的方法，其中用一或多种掺杂剂掺杂所述半导电衬里材料包括将所述经掺杂半导电衬里材料的所述竖直延伸部分形成为分别包括掺杂区和水平介于所述掺杂区和所述阶梯结构之间的基本未经掺杂区。

13.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中将所述经掺杂半导电衬里材料的部分转换成钨衬里材料包括将所述钨衬里材料形成为包括贝塔相钨和所述经掺杂半导电衬里材料的一或多种掺杂剂。