[发明专利]具有衬底穿孔的集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

导电结构，沿着半导体衬底的第一侧设置在介电结构内；

绝缘结构，沿着所述半导体衬底的内侧壁设置，其中所述半导体衬底的所述内侧壁延伸穿过所述半导体衬底；

阻挡层，沿着所述绝缘结构的内侧壁设置；以及

衬底穿孔，包括第一部分及第二部分，其中所述第一部分沿着从所述绝缘结构的所述内侧壁向外突出的所述绝缘结构的水平延伸表面延伸，并且其中所述第二部分从所述第一部分延伸到所述导电结构，且所述第二部分的最大宽度小于所述第一部分的最大宽度。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述阻挡层具有最底表面，所述最底表面通过所述衬底穿孔的所述第一部分与所述绝缘结构的所述水平延伸表面垂直分离。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中所述衬底穿孔还包括通过所述第一部分与所述第二部分分离的第三部分；且

其中所述第三部分的最大宽度小于所述第一部分的最大宽度。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述衬底穿孔的所述第一部分具有相对于所述半导体衬底的所述第一侧成第一角度的侧壁，并且所述衬底穿孔的所述第二部分包括相对于所述半导体衬底的所述第一侧成第二角度的侧壁，所述第一角度不同于所述第二角度。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述阻挡层具有小于所述绝缘结构的高度。

6.一种用于构建集成电路的方法，包括：

沿着半导体衬底的第一侧在介电结构内形成导电结构；

对所述半导体衬底的第二侧执行第一刻蚀工艺，以形成所述半导体衬底的侧壁，所述侧壁界定延伸到所述介电结构的第一孔；

在所述半导体衬底的所述第二侧上方并沿着所述半导体衬底的所述侧壁形成绝缘结构；

对所述介电结构执行第二刻蚀工艺以形成所述介电结构的侧壁，所述侧壁界定延伸到所述导电结构的第二孔，其中所述第二孔的最大宽度小于所述第一孔的最大宽度；以及

在所述第一孔及所述第二孔内形成衬底穿孔。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述第二刻蚀工艺之前，在所述绝缘结构上方并沿着所述绝缘结构的内侧壁形成阻挡层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述第二刻蚀工艺之前，沿着所述阻挡层的侧壁及所述绝缘结构的所述内侧壁形成临时阻挡层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述阻挡层具有在所述绝缘结构的顶表面与所述绝缘结构的水平延伸表面之间变化的厚度。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

沿着半导体衬底的第一侧在介电结构内形成内连结构；

在所述半导体衬底的第二侧上执行第一刻蚀工艺，以形成所述半导体衬底的侧壁，所述侧壁界定延伸到所述介电结构的第一孔；

在所述半导体衬底的所述第二侧上方并沿着所述半导体衬底的所述侧壁形成绝缘结构；

沿着所述绝缘结构的侧壁形成阻挡层；

沿着所述阻挡层的侧壁及所述绝缘结构的所述侧壁形成临时阻挡层；

对所述介电结构执行第二刻蚀工艺，以形成所述介电结构的侧壁，所述侧壁界定延伸到所述内连结构的第二孔；以及

在所述第一孔及所述第二孔内形成导电材料。