[发明专利]一种无压烧结碳化硅防弹陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，按重量份计，包含以下组分：碳化物A96.5-98.5份、碳化物B1.1-1.8份、硼化物0.1-1份、树脂12-18份、氧化物1-3份、分散剂0.15-0.45份；所述碳化物A的粒径为50-500nm，所述碳化物A为碳化硅，所述碳化硅包含0.1-1份碳化硅晶须。

2.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述碳化物B的粒径为50-500nm，选自碳化硼、碳化钨、碳化铬、碳化钼中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述硼化物的粒径为30-80nm，所述硼化物选自硼化钛、硼化铝、硼化钼中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述树脂选自丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述树脂为酚醛树脂。

6.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述分散剂选自聚甲基丙烯酸铵、聚乙二醇、聚乙烯亚胺中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述硼化物与氧化物重量比为1：(1-10)。

8.根据权利要求7所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述硼化物与氧化物重量比为1：(3-10)。

9.根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷，其特征在于，所述氧化物的粒径为0.5-1um，所述氧化物选自氧化镁、氧化铝、氧化锌、氧化钛中的一种或多种。

10.一种根据权利要求1所述的无压烧结碳化硅防弹陶瓷的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

(1)将碳化物A96.5-98.5份、碳化物B1.1-1.8份、硼化物0.1-1份、树脂12-18份、氧化物1-3份、分散剂0.15-0.45份加入到球磨机中进行球磨混合18-30h，将球磨混合后的物料放入搅拌装置中进行搅拌1-4h；

(2)将搅拌后的混合料喷入造粒塔中，造粒塔的离心变频为26-32HZ，进风温度为250-280℃，出风温度为100-120℃，进浆压力为40-60MPa，得到造粒粉；

(3)将上述造粒粉置于硬质合金模具内进行压制得到生坯a，压制方式为双向加压，机床压力吨位为150-1500吨；

(4)将步骤3压制好的生坯a放入80℃干燥箱中进行干燥固化0.5-2h，得到生坯b；

(5)将生坯b置于石墨坩埚或带有弧度的石墨基体上，生坯间保持0.5-5cm的间隙排列，将装好生坯的石墨坩埚或带有弧度的石墨基体放入真空烧结炉中进行烧制，烧结炉温度设定为2200-2250℃，保温时间为1-2h，关闭真空烧结炉的开关，温度降至室温后，取出制备的碳化硅防弹陶瓷。