[发明专利]发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置在审
| 申请号: | 202110255370.X | 申请日: | 2021-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN112968051A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 杜小波;李彦松;文官印 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 制备 方法 | ||
本发明实施例提供了一种发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置,涉及发光及显示技术领域,用以在解决发光基板中产生的发光串扰问题的基础上,降低发光功能层的制备成本。发光基板包括:衬底基板、像素界定层、第一电极层和发光功能层。其中,像素界定层具有多个开口部;第一电极层包括多个第一电极,每个第一电极的至少一部分露出于一个开口部,与开口部构成容置部;发光功能层包括多个功能子层,多个功能子层中的至少一个是第一功能子层,每个第一功能子层包括多个功能图案,每个功能图案位于一个容置部中,与容置部的表面共形,且功能图案的边沿到衬底基板的距离小于或等于容置部的边沿到衬底基板的距离。
技术领域
本发明涉及发光及显示技术领域,尤其涉及一种发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置。
背景技术
显示面板(也可称为显示屏)可以有很多类型,例如,有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,简称OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes,简称QLED)显示面板等。示例性地,OLED显示面板由于具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽等优点,已经成为极具竞争力和发展前景的一种显示面板。OLED显示面板的发光器件是一种多层薄膜叠加的结构,由于发光器件的空穴注入层是通过真空蒸镀技术制作出来的一整层,并且,制作空穴注入层的材料通常是p型掺杂材料,使得空穴注入层具有接近导体的性质。通电时,电流会经过空穴注入层沿着OLED显示面板的发光面横向传输,使得一个子像素上的驱动发光的电流传输到与其相邻的子像素上,而OLED显示面板的红(R)、绿(G)、蓝(B)三种子像素通常又是间隔排列的,因此就会产生发光串扰问题。
现有技术可以通过使用高精度金属掩膜板制作诸如空穴注入层之类的膜层来解决上述问题,但是由于高精度金属掩膜板的制作成本高,进而使OLED显示面板的制作成本也将大大提高。
发明内容
本发明的实施例提供一种发光基板、发光装置、发光基板的制备方法和装置,用以在发光基板中产生发光串扰问题的基础上,降低发光功能层的制备成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供了一种发光基板,该发光基板包括:衬底基板、像素界定层、第一电极层和发光功能层。其中,像素界定层设置于衬底基板上,像素界定层具有多个开口部;第一电极层包括多个第一电极,每个第一电极的至少一部分露出于一个开口部,与开口部构成容置部;发光功能层设置于第一电极层远离衬底基板的一侧,发光功能层包括多个功能子层,多个功能子层中的至少一个是第一功能子层,每个第一功能子层包括多个功能图案,每个功能图案位于一个容置部中,与容置部的表面共形,且功能图案的边沿到衬底基板的距离小于或等于容置部的边沿到衬底基板的距离。
在一些实施例中,发光功能层中的至少两个功能子层是第一功能子层。
在一些实施例中,设置于同一容置部的各个功能图案中,最远离所述衬底基板的功能图案的边沿到衬底基板的距离小于最靠近衬底基板的功能图案的边沿到衬底基板的距离,或者设置于同一容置部的每相邻两个功能图案中,远离衬底基板的功能图案的边沿到衬底基板的距离小于靠近衬底基板的功能图案的边沿到衬底基板的距离。
在一些实施例中,多个功能子层包括:发光层,发光层包括多个发光图案,每个发光图案位于一个容置部中;设置于发光层靠近衬底基板一侧的至少一个第一功能子层;设置于发光层远离衬底基板一侧的至少一个第一功能子层。其中,同一容置部中,设置于发光层两侧的第一功能子层的功能图案将发光图案包裹。
在一些实施例中,发光功能层中的所有功能子层均是第一功能子层。
在一些实施例中,像素界定层远离衬底基板一侧的表面凹凸不平。
在一些实施例中,像素界定层远离衬底基板一侧的表面具有多个相互平行的条形凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





