[发明专利]压电元件及其制造方法在审
申请号: | 202110254130.8 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113451500A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 波多野桂一;塚越功一 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/187;H01L41/27;H01L41/273;H01L41/277 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王磊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种层叠型压电元件,其特征在于:
具有压电陶瓷层和内部电极,
所述压电陶瓷层由以具有钙钛矿型结构的碱金属铌酸盐为主成分且含有选自钙和钡中的至少1种碱土金属元素和银的压电陶瓷构成,
在将所述碱金属铌酸盐的B位点中的元素的含量设为100摩尔%时,所述碱土金属元素的合计含量为0.2摩尔%以上且低于2.0摩尔%,
所述压电陶瓷层含有至少1个内包银偏析区域的烧结颗粒,
所述银偏析区域的长径为10nm以下,
所述内部电极配置于所述压电陶瓷层之间,且由银的含量为80质量%以上的金属形成。
2.如权利要求1所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述压电陶瓷层含有至少1个内包有5处以上所述银偏析区域的烧结颗粒。
3.如权利要求1或2所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述碱金属铌酸盐由以下的组成式(1)表示,
(AgtM2u(K1-v-wNavLiw)1-t-u)a(SbxTayNb1-x-y-zZrz)O3…(1)
组成式(1)中,M2表示所述碱土金属元素,并且t、u、v、w、x、y、z、a是满足0.005<t≤0.05、0.002≤u<0.02、0.007<t+u<0.07、0≤v≤1、0.02<w≤0.1、0.02<v+w≤1、0≤x≤0.1、0≤y≤0.4、0≤z≤0.02、1<a≤1.1所示的各不等式的数值。
4.如权利要求1~3中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述压电陶瓷层除了所述碱金属铌酸盐的构成元素以外还含有Li和Si,将该碱金属铌酸盐设为100摩尔%时,Li的含量为0.1摩尔%以上3.0摩尔%以下,Si的含量为0.1摩尔%以上3.0摩尔%以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
在所述压电陶瓷层中析出有Li3NbO4。
6.如权利要求4或5所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述压电陶瓷层中析出有选自硅酸碱金属化合物和硅酸铌酸碱金属化合物的至少1种化合物。
7.如权利要求1~6中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述压电陶瓷层除了所述碱金属铌酸盐的构成元素以外还含有Mn,在将该碱金属铌酸盐设为100摩尔%时,Mn的含量为2.0摩尔%以下。
8.如权利要求7所述的层叠型压电元件,其特征在于:
在所述压电陶瓷层中析出有含有锰的氧化物。
9.如权利要求1~8中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述压电陶瓷层中的烧结粒径满足100nm≤D50≤800nm和(D90-D10)/D50≤2.0。
10.如权利要求1~9中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
还具有覆盖所述内部电极和/或所述压电陶瓷层的保护部。
11.如权利要求1~10中任一项所述的层叠型压电元件,其特征在于:
所述内部电极通过设置于表面的1对外部电极每隔1层电连接。
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