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[发明专利]硬PZT陶瓷、压电多层部件和制造压电多层部件的方法-CN201880049720.3有效
发明人： D.奥罗泽尔;M.普夫;B.德尔加斯特;A.格拉朱诺夫 -专利权人： TDK电子股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：说明了一种硬锆钛酸铅（PZT）陶瓷，其具有ABO3结构，所述结构包括A位置和B位置，其中所述PZT陶瓷在所述B位置上掺杂了Mn和Nb，并且比例Nb/Mn2。还说明了一种具有这种PZT陶瓷的压电多层部件以及一种用于制造压电多层部件的方法。
pzt 陶瓷压电多层部件制造方法

[发明专利]一种压电材料多层结构器件及其准共烧制备方法-CN202210152397.0在审
发明人：高翔宇;任凯乐;刘金凤;李飞;徐卓;乔辽;靳浩楠 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：本发明提供一种压电材料多层结构器件及其准共烧制备方法，将预制多片压电材料印刷表面电极浆料后在模具中叠片，然后在加热条件下干燥，之后多片压电材料与电极浆料在准共烧烧结温度烧结，形成压电层与电极层机械串联、电学并联整体结构，随炉冷却后得到多层压电体，对所述多层压电体被外电极、引电极并极化得到多层压电器件。本发明中使用电极浆料去粘接压电层，通过准共烧步骤，将电极浆料里的有机物完全排出，压电层之间仅留下金属固体作为电极层及粘附层，由此制备的多层压电结构不易分层、机械性能稳定。此外，本发明对压电单晶和陶瓷均适用，易操作、成本低，且制备所得多层器件的压电性能高、使用温度范围宽、可靠性和使用寿命高。
一种压电材料多层结构器件及其烧制方法

[发明专利]用于利用填充材料填充多层构件的至少一个空穴的方法-CN201380042243.5有效
发明人： D.佐米奇;M.加勒;A.拉雅普卡尔 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：本文给出一种用于利用填充材料(9)填充多层构件(1)的至少一个空穴(5a、5b)的方法。所述方法在第一步骤中包括提供多层构件(1)的基本主体(2)，其中所述基本主体(2)具有至少一个空穴(5a、5b)。该方法在下一步骤中包括将基本主体(2)定位在腔室(11)内并且接着产生第一压力，其中所述第一压力是负压。接着，在基本主体(2)处布置填充材料(9)。另外还给出多层构件(1)。多层构件(1)具有带有至少一个空穴(5a、5b)的基本主体(2)，其中利用填充材料(9)填充空穴(5a、5b)，所述填充材料具有在200mPas和2000mPas之间的粘度。
用于利用填充材料多层构件至少一个空穴方法以及

[发明专利]包括La2O3应力缓冲体的压电元件的制造方法-CN201310510875.1在审
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-26 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电元件的制造方法，包括如下步骤：以PZT作为主要成分浆料印刷形成坯片；将电极图案用的浆料印刷在坯片上；将La₂O₃浆料印刷在坯片上面中没有印刷有电极图案的区域，形成La₂O₃浆料层；将形成有电极图案和La₂O₃浆料层的坯片层叠，形成坯层叠体；对其加热的同时进行压制，然后切断；对其进行脱脂处理后进行烧结，得到作为烧结体的层叠体；并在层叠体的侧面上形成外部电极；最后进行极化处理，得到压电元件。根据该方法制得的压电元件具有优良的压电特性，并且能够防止压电元件在层叠体的层叠方向上延伸的裂缝。
包括 la2o3 应力缓冲压电元件制造方法

[发明专利]包括HfO2应力缓冲体的压电元件的制造方法-CN201310503454.6在审
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电元件的制造方法，包括如下步骤：以PZT作为主要成分浆料印刷形成坯片；将电极图案用的浆料印刷在坯片上；将HfO2浆料印刷在坯片上面中没有印刷有电极图案的区域，形成HfO2浆料层；将形成有电极图案和HfO2浆料层的坯片层叠，形成坯层叠体；对其加热的同时进行压制，然后切断；对其进行脱脂处理后进行烧结，得到作为烧结体的层叠体；并在层叠体的侧面上形成外部电极；最后进行极化处理，得到压电元件。根据该方法制得的压电元件具有优良的压电特性，并且能够防止压电元件在层叠体的层叠方向上延伸的裂缝。
包括 hfo2 应力缓冲压电元件制造方法

[发明专利]一种压电双晶片及其制备方法-CN201310605272.X在审
发明人：王素贞 -专利权人：重庆中镭科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L41/273 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电双晶片及其制备方法。压电双晶片包括下压电体、上压电体、下导电电极层、上导电电极层、共用电极层，下压电体、上压电体由PZT压电材料组成，其特征是下压电体与上压电体之间通过高温压力烧结的公共电极层联结。涉及的压电双晶片制备方法采用在上下压电体表面印刷电极、烘干并在一定压力下实现高温压力烧结的公共电极层具有粘接、导电功能，亦可后续加工成特殊结构的双晶片。本发明解决了压电双晶片中的粘接层绝缘问题，具有工作过程稳定可靠、寿命长的特点。
一种压电双晶及其制备方法