[发明专利]显示装置、制造其的方法及具有显示装置的拼接显示装置在审
申请号: | 202110243644.3 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113363295A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 金德星;权正铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 具有 拼接 | ||
提供了一种显示装置、制造其的方法及具有显示装置的拼接显示装置。所述显示装置包括:基底,具有被构造为显示图像的显示区域;像素,在显示区域中在基底的第一表面上,并且包括显示元件层和像素电路层;第一驱动器,在显示区域中在基底的第二表面上,第二表面与基底的第一表面相对;以及第一连接部,在显示区域中在基底的第一表面与第二表面之间穿过基底,以将像素电路层的第一信号线与第一驱动器彼此电连接。显示元件层包括:第一电极和第二电极,在同一层上,并且彼此间隔开;以及发光元件,在第一电极与第二电极之间。
本申请要求于2020年3月5日提交的第10-2020-0027841号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
本公开的实施例的方面涉及一种显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种具有显示装置的拼接显示装置。
背景技术
显示装置可以通过使用发光元件(诸如作为像素的光源的发光二极管(LED))来显示图像。发光二极管即使在恶劣的环境条件下也表现出相对优异的耐久性,并且在寿命和亮度方面也表现出优异的性能。正在进行通过使用具有无机晶体结构的材料来制造高度可靠的发光二极管以及通过将发光二极管设置在显示装置的显示面板中来使用发光二极管作为像素光源的研究。
包括多个显示面板的拼接显示装置可以具有被用户识别的非显示区域(例如,边框区域)。因此,显示面板可以被识别为分离的屏幕,并且会干扰用户的沉浸。因此,期望一种其中减小了非显示区域或非显示区域被最小化的显示面板和显示装置。
发明内容
本公开的实施例提供了一种其中减小了非显示区域或者使非显示区域最小化的显示装置和制造该显示装置的方法。
本公开的其它实施例提供了一种包括其中减小了非显示区域或者使非显示区域最小化的显示面板的拼接显示装置。
本公开的方面和特征不限于上述方面和特征,并且本领域技术人员通过下面的描述将清楚地理解这里未明确描述的其它方面和特征。
根据本公开的实施例的显示装置包括:基底,具有被构造为显示图像的显示区域;像素,在显示区域中在基底的第一表面上,像素包括显示元件层和像素电路层;第一驱动器,在显示区域中在基底的第二表面上,基底的第二表面与基底的第一表面相对;以及第一连接部,在显示区域中在基底的第一表面与第二表面之间穿过基底,以将像素电路层的第一信号线与第一驱动器彼此电连接。显示元件层包括:第一电极和第二电极,在同一层上,并且彼此间隔开;以及发光元件,在第一电极与第二电极之间。
显示装置还可以包括:第二驱动器,在显示区域中在基底的第二表面上;以及第二连接部,在基底的第一表面与第二表面之间穿过基底,以将像素电路层的第二信号线与第二驱动器彼此电连接。第一驱动器可以被构造为将扫描信号供应到第一信号线,并且第二驱动器可以被构造为将数据信号供应到第二信号线。
像素电路层还可以包括电连接到发光元件的晶体管。晶体管可以包括:半导体层,在基底的第一表面上;栅电极,在半导体层上;以及第一晶体管电极和第二晶体管电极,在栅电极上,并且连接到半导体层。第一信号线可以与栅电极在同一层上。
第二信号线可以与第一晶体管电极和第二晶体管电极中的至少一者在同一层上。
像素电路层还可以包括接触第二信号线和第二连接部的中间电极,并且中间电极可以与第一信号线在同一层上。
显示装置还可以包括:覆盖层,在基底的第二表面上,并且覆盖第一连接部和第二连接部。第一连接部可以包括穿过基底的第一贯通电极和在基底的第二表面上的第一扇出电极,第二连接部可以包括穿过基底的第二贯通电极和在基底的第二表面上的第二扇出电极,并且覆盖层可以具有暴露第一扇出电极的一部分的第一垫开口和暴露第二扇出电极的一部分的第二垫开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的