[发明专利]一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置在审
申请号: | 202110239434.7 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN113035917A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 喻琨;宋星星;查甫德;王明;王海涛;吕艳明;安予生;孟庆勇 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
发明提供了一种显示面板、掩膜版、显示面板制备方法及显示装置,解决了现有的显示面板显示出水平Mura现象的问题。所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周边区,所述显示面板还包括:至少两个集成芯片,位于所述显示区的周边区,且沿所述显示区的边界方向排列;至少一个流速调节结构,分别位于两个相邻的所述集成芯片之间,且位于所述集成芯片远离所述显示区的一侧,所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置。
背景技术
随着科学技术的快速发展,AMOLED(Active-matrix organic light-emittingdiode,有源矩阵有机发光二极体)已成为未来显示技术的主流。手机等小尺寸AMOLED面板良率已逼近a-Si LCD产品,但大尺寸AMOLED良率,尤其是TV类AMOLED一直是业界大规模量产的瓶颈。水平Mura(指显示器亮度不均匀,造成各种痕迹的现象)是AMOLED常见的顽固性不良,其发生率超过90%,在特定画面下,肉眼均可见,只是严重程度不同。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置,解决了现有的显示面板显示出水平Mura现象的问题。
本发明一实施例提供的一种显示面板,包括显示区和围绕所述显示区的周边区,所述显示面板还包括:
至少两个集成芯片,位于所述显示区至少一侧的所述周边区,且沿所述显示区的边界方向排列;
至少一个流速调节结构,位于所述至少两个集成芯片之间,且位于所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧,所述流速调节结构被配置为调节工艺液体的流速。
在一种实施方式中,所述集成芯片的数量为4-8个,两个相邻的所述集成芯片之间设置有一个所述流速调节结构。
在一种实施方式中,所述流速调节结构包括:至少一个第一挡墙和至少一个第二挡墙,其中,每个所述第一挡墙和一个所述第二挡墙在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交。
在一种实施方式中,所述第一挡墙的数量为多个,所述第二挡墙的数量为多个,所述多个第一挡墙沿第一方向平行排列,所述多个第二挡墙沿第二方向平行排列。
在一种实施方式中,所述流速调节结构包括至少一个第三挡墙和至少一个第四挡墙,其中,至少一个所述第三挡墙和至少一个所述第四挡墙相交呈第一网格状结构分布,所述第一网格状结构的网格密度均匀分布。
在一种实施方式中,所述流速调节结构包括至少一个第五挡墙和至少一个第六挡墙,至少一个所述第五挡墙和至少一个所述第六挡墙相交呈第二网格状结构分布,所述第二网格状结构的网格密度不均匀分布。
在一种实施方式中,所述流速调节结构包括:至少一个第七挡墙和至少一个第八挡墙,其中,每个所述第七挡墙和一个所述第八挡墙在所述至少两个集成芯片远离所述显示区的一侧相交;
所述流速调节结构还包括第九挡墙,至少一个所述第九挡墙与至少一个所述第七挡墙相交呈第三网格状结构分布;至少一个所述第九挡墙与和至少一个所述第八挡墙相交呈第三网格状结构分布;所述第三网格状结构的网格密度不均匀分布。
在一种实施方式中,所述网格密度在靠近所述流速调节结构中间位置的方向上逐渐减小。
在一种实施方式中,所述显示面板包括栅极层,所述流速调节结构设置在所述栅极层。
一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周边区,所述显示面板的制备方法包括:
在所述显示区至少一侧的周边区制备至少两个集成芯片,所述至少两个集成芯片沿所述显示区的边界方向排列;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的