[发明专利]一种高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法

权利要求书

1.一种高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：它包括渐变式沉积I层方法；所述渐变式沉积I层方法为，利用PECVD方法分解反应气体进行本征I型非晶硅沉积，反应气体中氢气含量逐渐增加，本征I型非晶硅沉积速率逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述反应气体的气压为30-150Pa,所述氢气的气体分压由0Pa-10Pa逐渐提升至80Pa-150Pa；本征I型非晶硅沉积速率由逐渐降低至沉积时间为20-120S。

3.根据权利要求1所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述反应气体包括硅烷和氢气。

4.根据权利要求1所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述本征I型非晶硅薄膜厚度为

5.根据权利要求1-4任意一项所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：它包括如下步骤，

A.将经制绒清洗的硅片加热至预设的成膜温度；

B.在经步骤A处理的硅片入光面通入第一本征I型非晶硅所需的反应气体，采用渐变式沉积I层方法在硅片入光面沉积第一本征I型非晶硅薄膜；

C.在经步骤B处理的硅片背光面通入第二本征I型非晶硅所需的反应气体，采用渐变式沉积I层方法，在硅片背光面沉积第二本征I型非晶硅薄膜；

D.在经步骤C处理的硅片第二本征I型非晶硅薄膜一面通入磷掺杂N型非晶硅所需的第三气体，利用PECVD方法将第三气体分解，在第二本征I型非晶硅薄膜上沉积磷掺杂N型非晶硅薄膜；

E.在经步骤D处理的硅片第一本征I型非晶硅薄膜一面通入硼掺杂P型非晶硅所需的第四气体，利用PECVD方法将第四气体分解，在第一本征I型非晶硅薄膜上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述预设的成膜温度为150-250℃。

7.根据权利要求5所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：在步骤B中，所述反应气体的气压为30-150Pa，所述氢气的气体分压从0-10Pa逐步提升到80-150Pa。

8.根据权利要求7所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：在步骤B中，所述本征I型非晶硅沉积速率由逐渐降低至沉积时间为20-120s，所述第一本征I型非晶硅薄膜厚度为

9.根据权利要求5所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：在步骤C中，所述反应气体的气压为30-150pa，所述氢气的气体分压从0-10Pa逐步提升到80-150Pa。

10.根据权利要求9所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：在步骤C中，所述本征I型非晶硅沉积速率由逐渐降低至沉积时间为20-120s，所述第二本征I型非晶硅薄膜厚度为

11.根据权利要求5所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述第三气体包括硅烷、氢气和磷烷，所述第三气体的气压为30-150Pa，所述氢气的气体分压为0Pa-30Pa，所述磷烷的气体分压为0Pa-30Pa。

12.根据权利要求11所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：在步骤D中，磷掺杂N型非晶硅沉积速率为所述磷磷掺杂N型非晶硅薄膜磷掺杂浓度大于2％。

13.根据权利要求12所述的高效异质结太阳能电池的PECVD镀膜方法，其特征在于：所述磷掺杂N型非晶硅薄膜禁带宽度大于1.65eV，所述磷掺杂N型非晶硅薄膜厚度在