[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202110234823.0 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113380618A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 村木雄介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。在交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法中，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方法包括以下工序：通过使用远程等离子体被进行了自由基化的含氧气体来在所述间隔膜的表层形成氧化膜；以及对所形成的所述氧化膜进行蚀刻去除。
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开了一种使用包含卤元素的气体对在基板的表面上以覆盖晶体管的方式进行成膜所得到的SiN膜进行蚀刻的半导体装置的制造方法。根据专利文献1所记载的方法，在供给包含卤元素的气体的初始的阶段，混合包含碱性气体的气体地进行供给。由此，使以覆盖SiN膜的表面的方式形成的SiNO膜变化为反应生成物的膜，由此通过包含卤元素的气体进行对SiN膜的蚀刻。
专利文献1：国际公开第2012/063901号
发明内容
本公开所涉及的技术在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。
本公开的一个方式是一种交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方法包括以下工序：通过使用远程等离子体被进行了等离子体化的含氧气体来在所述间隔膜的表层形成氧化膜；以及对所形成的所述氧化膜进行蚀刻去除。
根据本公开，在交替地层叠有硅层和硅锗层的基板的处理中恰当地对作为绝缘膜的间隔膜进行去除。
附图说明
图1是示意性地表示以往的晶圆处理的情形的说明图。
图2是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的主要工序的流程图。
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理的情形的说明图。
图4是表示等离子体处理装置的结构的一例的纵剖截面图。
图5是表示等离子体氧化处理的时间与氧化量的关系的曲线图。
图6是表示蚀刻处理装置的结构的一例的纵剖截面图。
图7是表示本实施方式所涉及的晶圆处理的结果的一例的说明图。
IS：间隔膜；Ox：氧化膜；Si：硅；SiGe：硅锗；W：晶圆。
具体实施方式
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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