[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，是交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板的处理方法，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，所述基板处理方法包括以下工序：

通过使用远程等离子体被进行了自由基化的含氧气体来在所述间隔膜的表层形成氧化膜；以及

对所形成的所述氧化膜进行蚀刻去除。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述间隔膜由SiOC、SiON、SiOCN及SiBCN中的任一方形成。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

形成的所述氧化膜的厚度为从所述间隔膜的表面起2nm以下的厚度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

通过所述形成氧化膜的工序的处理时间来控制要形成的所述氧化膜的厚度。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

利用至少包含HF气体和NH₃气体的处理气体进行蚀刻来进行对所述氧化膜进行蚀刻去除的工序。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

在低温低压的条件下进行对所述氧化膜进行蚀刻去除的工序，

进行该蚀刻去除的温度条件为0℃～120℃，优选为0℃～60℃。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

重复进行包括形成所述氧化膜的工序和对所述氧化膜进行蚀刻去除的工序的循环，由此去除所述间隔膜，至少使所述硅膜的侧面露出。

8.一种基板处理装置，对交替地层叠有硅膜和硅锗膜的基板进行处理，至少在所述硅膜和所述硅锗膜的侧面形成有低介电常数的间隔膜，

所述基板处理装置具备：

等离子体处理部，其利用使用远程等离子体被进行了自由基化的含氧气体来在所述间隔膜的表面形成氧化膜；

蚀刻处理部，其对所形成的所述氧化膜蚀刻去除；以及

控制部，其控制所述等离子体处理部和所述蚀刻处理部的动作。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述间隔膜由SiOC、SiON、SiOCN及SiBCN中的任一方形成。

10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部控制所述等离子体处理部的动作，以将所述氧化膜形成为从所述间隔膜的表面起2nm以下的厚度。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部通过所述等离子体处理部的处理时间来控制要形成的所述氧化膜的厚度。

12.根据权利要求8至11中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部控制所述蚀刻处理部的动作，以利用至少包含HF气体和NH₃气体的处理气体进行蚀刻来进行所述氧化膜的蚀刻去除。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部控制所述蚀刻处理部的动作，以在低温低压的条件下进行所述氧化膜的蚀刻去除，

进行该蚀刻去除的温度条件为0℃～120℃，优选为0℃～60℃。

14.根据权利要求8至13中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部控制所述等离子体处理部和所述蚀刻处理部的动作，以通过重复进行以下循环来去除所述间隔膜，至少使所述硅膜的侧面露出，所述循环包括所述等离子体处理部中进行的所述氧化膜的形成和所述蚀刻处理部中进行的所述氧化膜的去除。