[发明专利]一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液及其镀金工艺

权利要求书

1.一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液，其特征在于，包括以下质量浓度的组分：

无氰金盐，以Au离子的含量计为6-10g/L

络合剂 10-60g/L

导电盐 10-60g/L

缓冲剂 30-60g/L

防老化剂 5-10g/L

界面活性剂 15-80mg/L

润湿剂 1-5mg/L

反应加速剂 50-80mg/L

稳定剂 0.2-5mg/L

所述反应加速剂为2,6-二氨基吡啶和3-吡啶甲醇的复合物，且2,6-二氨基吡啶和3-吡啶甲醇的质量浓度比为2:1；

将上述组分按照配比均匀混合后，用硫酸或者氢氧化钾调节pH至7~9，余量为水，操作温度50-90℃后形成无氰化学镀金溶液;所述界面活性剂与润湿剂在使用时的质量浓度比例为15:1;

络合剂为1,2一乙二胺类化合物；且该络合剂中的导电离子与导电盐中导电离子的浓度总和10-15mol/L;

所述无氰金盐为四氯合金酸或氢氧化金;

所述界面活性剂为甲基烯丙基磺酸钠。

2.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液，其特征在于，所述缓冲剂为氯化铵、柠檬酸铵中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液，其特征在于，所述稳定剂为酒石酸锑钾。

4.一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，镀件进行化学镀之前由前处理溶液进行真空处理；

步骤2，将抽真空处理后的镀件进行中间镀镍处理后形成镀镍层；

步骤3，对形成镀镍层的镀件进行超纯水处理后放入充满权1-3任一项所述的无氰化学镀金溶液的镀金液槽内；

步骤4，对该镀件进行镀金处理；

步骤5，镀金完成后取出镀件，并将使用后的镀金液引流到镀金液回收槽内；

步骤6，对镀金液回收槽内的金回收液进行浓缩，并通过比重探头感应计算金含量，对回收的镀金液浓度进行控制后回收至镀金液槽内循环使用。

5.根据权利要求4所述的一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金工艺，其特征在于，所述步骤4中镀金处理的具体条件为：镀液温度50-70℃，搅拌速率在100-200r/min之间；镀金分为两个阶段不同电流密度进行：第一阶段电流密度为10-15A/dm²，第二阶段电流密度为1-1.5A/dm²。

6.根据权利要求5所述的一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金工艺，其特征在于，可在步骤4中充入氮气。