[发明专利]非易失性存储器、存储器系统及非易失性存储器的控制方法在审
| 申请号: | 202110213666.5 | 申请日: | 2021-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN114141292A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 岩井大典;藤泽俊雄;原圭吾 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/16;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性存储器 存储器 系统 控制 方法 | ||
1.一种非易失性存储器,其特征在于具备:
存储单元阵列,包含多个非易失性存储单元;以及
指令处理部,包含缓冲器,按照从控制器接收到的指令,控制对所述存储单元阵列的数据的写入或读取;且
所述指令处理部是:
在从所述控制器接收到所述存储单元阵列的第1位置以及第1指令的情况下,将基于从所述第1位置读取到的数据的第1数据保存在所述缓冲器,
在从所述控制器接收到所述存储单元阵列的第2位置以及第2指令的情形,将基于从所述第2位置读取到的数据的第2数据保存在所述缓冲器,
对所述控制器发送用于判断所述第1数据是否有效的第1有效判断信息、以及用于判断第2数据是否有效的第2有效判断信息,
在从所述控制器接收到第3指令及表示所述第2数据为有效数据的有效特定信息的情形,将基于所述缓冲器中保存的所述第2数据的第3数据写入到所述存储单元阵列的第3位置。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器,其特征在于所述指令处理部是:在从所述控制器接收到所述存储单元阵列的第4位置及第4数据以及写入指令的情形,将所述第4数据写入到所述第4位置。
3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器,其特征在于所述指令处理部是:在从所述控制器接收到所述第1指令的情形,从所述存储单元阵列读取所述第1有效判断信息。
4.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器,其特征在于所述指令处理部是:
基于从所述第1位置读取的数据,执行错误校正处理,
在基于从所述第1位置读取的数据的错误校正成功的情形,对所述控制器发送所述第1有效判断信息,
在基于从所述第1位置读取的数据的错误校正失败的情形,对所述控制器发送从所述第1位置读取的数据及所述第1有效判断信息。
5.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器,其特征在于所述指令处理部是:
在从所述控制器接收到所述第1位置、第1随机化密钥及所述第1指令的情形,对基于从所述第1位置读取的数据的第5数据,使用所述第1随机化密钥将随机化解除,
在从所述控制器接收到第2随机化密钥、所述有效特定信息及第3指令的情形,对所述第2数据,使用所述第2随机化密钥生成所述第3数据。
6.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器,其特征在于:所述第1有效判断信息包括从所述第1位置读取的数据的逻辑地址即第1逻辑地址,
所述第2有效判断信息包括从所述第2位置读取的数据的逻辑地址即第2逻辑地址,
所述有效特定信息包括所述第2逻辑地址。
7.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器,其特征在于:所述指令处理部对所述第3位置的所述第3数据的写入包括:
在接收到所述有效特定信息及第4指令的情形,将所述第2数据从所述缓冲器中包含的第1区域移动到所述缓冲器中包含的第2区域,
在接收到所述第3指令及所述第3位置的情形,对所述第3位置写入基于移动到所述第2区域的所述第2数据的所述第3数据。
8.一种存储器系统,其特征在于具备:
根据权利要求1至7中任一项所述的非易失性存储器,以及
所述控制器;且
所述控制器是:
对所述非易失性存储器发送所述第1指令以及所述第2指令,
从所述非易失性存储器接收所述第1有效判断信息以及所述第2有效判断信息,
基于所述第1有效判断信息,判断所述第1数据是否有效,
基于所述第2有效判断信息,判断所述第2数据是否有效,
在判断为所述第1数据无效且所述第2数据有效的情形,對所述非易失性存储器发送所述第3指令及所述有效特定信息。
9.一种非易失性存储器的控制方法,其特征在于是非易失性存储器的控制方法,所述非易失性存储器包含包括多个非易失性存储单元的存储单元阵列,且所述控制方法是:
在接收到所述存储单元阵列的第1位置以及第1指令的情形,从所述第1位置读取第1数据,
在接收到所述存储单元阵列的第2位置以及第2指令的情形,从所述第2位置读取第2数据,
发送用于判断所述第1数据是否有效的第1有效判断信息、以及用于判断第2数据是否有效的第2有效判断信息,
在接收到第3指令及表示所述第2数据为有效数据的有效特定信息的情形,将基于所述第2数据的第3数据写入到所述存储单元阵列的第3位置。
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