[发明专利]具有减小的振动校正误差的MEMS测斜仪有效
申请号: | 202110208300.9 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113375635B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | G·加特瑞;F·里奇尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | G01C9/00 | 分类号: | G01C9/00;G01C9/02;G01C25/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 减小 振动 校正 误差 mems 测斜仪 | ||
1.一种微机电系统MEMS测斜仪,包括:
基底;
第一移动质量块,被悬挂在所述基底上方,并且在使用中,受到取决于所述测斜仪的倾斜度的加速度;以及
第一传感单元,所述第一传感单元包括:
第二移动质量块,被悬挂在所述基底上方;
多个弹性元件,所述多个弹性元件中的每个弹性元件被机械地插入在所述第二移动质量块与所述基底之间,并且在与第一轴线平行的方向上是柔顺的;
多个弹性结构,所述多个弹性结构中的每个弹性结构被机械地插入在所述第一移动质量块与所述第二移动质量块之间,并且在与所述第一轴线和第二轴线平行的方向上是柔顺的;
至少一个第一固定电极,所述至少一个第一固定电极相对于所述基底被固定;以及
至少一个第一移动电极,所述至少一个第一移动电极相对于所述第二移动质量块被固定,并且被配置为与所述第一固定电极一起形成第一可变电容器,
其中每个弹性结构包括至少一个相应的伸长结构,所述伸长结构在静止状态下,在与第三轴线平行的方向上延伸,并且在与包含所述第一轴线和所述第二轴线的平面平行的平面内,所述伸长结构具有相对于所述第一轴线和所述第二轴线横向的惯性主轴线,使得由所述加速度引起的所述第一移动质量块在与所述第二轴线平行的方向上的运动,导致所述第二移动质量块在与所述第一轴线平行的方向上对应的运动。
2.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中所述第一固定电极和所述第一移动电极具有相应的突起,所述突起在与所述第一轴线平行的方向上伸长并且互相交叉。
3.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中所述第三轴线垂直于与包含所述第一轴线和所述第二轴线的平面平行的所述平面。
4.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中每个伸长结构包括顶部伸长部分、底部伸长部分、以及多个横向部分,所述顶部伸长部分和所述底部伸长部分在静止状态下,在与所述第三轴线平行的方向上延伸,并且沿着所述第一轴线以及沿着所述第二轴线被间隔开,每个横向部分被插入在所述顶部伸长部分与所述底部伸长部分之间,
其中所述横向部分、所述顶部伸长部分以及所述底部伸长部分形成一个整体。
5.根据权利要求4所述的MEMS测斜仪,其中所述横向部分具有在与所述第二轴线平行的方向上伸长的形状,并且在与所述第三轴线平行的方向上被连续布置。
6.根据权利要求4所述的MEMS测斜仪,其中每个伸长结构的所述顶部伸长部分和所述底部伸长部分各自具有相应的第一端和相应的第二端,所述相应的第一端和相应的第二端分别被固定到所述第一移动质量块和第二移动质量块。
7.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中每个伸长结构被固定在所述第一移动质量块与所述第二移动质量块之间,并且在与包含所述第一轴线和所述第二轴线的所述平面平行的每个平面内,每个伸长结构具有相对于所述第一轴线和所述第二轴线横向布置的惯性主轴线。
8.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中每个弹性结构包括相应的多个伸长结构,所述多个伸长结构被连接以便形成折叠结构,所述折叠结构具有分别被固定到所述第一移动质量块和所述第二移动质量块的第一端和第二端。
9.根据权利要求8所述的MEMS测斜仪,其中,在与包含所述第一轴线和所述第二轴线的所述平面平行的每个平面内,每个伸长结构具有相对于所述第一轴线和所述第二轴线横向布置的惯性主轴线。
10.根据权利要求1所述的MEMS测斜仪,其中除了与所述第一轴线或所述第三轴线平行的平移外,所述弹性结构是相同的。
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