[发明专利]套刻测量装置

说明书

本发明公开了一种套刻测量装置，该套刻测量装置包括测量室、测量机构和调控机构，测量室用于放置具有套刻标记的晶圆，测量机构设置在测量室内，用于测量晶圆的套刻标记，调控机构用于调控测量室的温度。具体地，当需要对晶圆进行检测时，将晶圆放置在测量室内，利用调控机构对测量室内的温度进行调节，使得测量室内维持在一定的温度，以满足测量机构的测量需求，测量机构对晶圆上的套刻标记进行测量，由于测量室内的温度符合测量需求，避免了温度对测量数据的影响，使得数据误读的情况得到了消除，从而准确地反映出晶圆的加工质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻测量装置。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

在半导体制造过程中，晶圆会采用套刻的方式进行加工，加工后的晶圆需要对套刻的标记进行检测，从而保证晶圆的加工质量。

在对套刻标记进行检测时，通常使用聚焦检测装置，现有聚焦检测装置受周围环境因素(温度、湿度以及压力等)影响较大，造成聚焦检测装置误读，导致测量误差，无法准确反映出晶圆的加工质量。

发明内容

本发明提出了一种套刻测量装置，所述套刻测量装置包括：

测量室，所述测量室用于放置具有套刻标记的晶圆；

测量机构，所述测量机构设置在所述测量室内，用于测量所述晶圆的所述套刻标记；

调控机构，所述调控机构用于调控所述测量室的温度。

根据本发明的套刻测量装置，当需要对晶圆进行检测时，将晶圆放置在测量室内，利用调控机构将测量室内的温度进行调节，使得测量室内维持在一定的温度，以满足测量机构的测量需求，测量机构对晶圆上的套刻标记进行测量，由于测量室内的温度符合测量需求，避免了温度对测量数据的影响，使得数据误读的情况得到了消除，从而准确地反映出晶圆的加工质量。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：

图1示意性地示出了根据本发明套刻测量装置的结构简图。

附图标记如下：

100为套刻测量装置；

10为测量室；

11为连接结构；

20为测量机构；

21为聚焦组件；

211为物镜，212为第一采集单元，213为控制单元，214为调节单元，215为第二采集单元；

22为干涉组件；

221为光源，222为激光，223为基准信号检测单元；

30为调控机构；

31为检测件；

40为卡持件；

200为晶圆；

201为套刻标记。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。