[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

元件隔离区；

第一有源区，由所述元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，其中，所述第一有源区包括均设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于所述第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及

栅电极，设置在所述元件隔离区和所述第一有源区中的每一个内并且沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，

其中，所述第一有源区的所述第二部分沿所述第一方向与所述第一有源区的所述第一部分间隔开，并且所述第一有源区的所述第三部分与所述第一有源区的所述第一部分和所述第二部分中的每一个接触，并且

其中，所述第一有源区的所述第一部分沿所述第二方向的第一宽度小于所述第一有源区的所述第三部分沿所述第二方向的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源区还包括设置在所述第一高度处的连接部分，其中，所述连接部分将所述第一有源区的所述第一部分和所述第一有源区的所述第二部分相连。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一有源区的所述第一部分沿所述第二方向的所述第一宽度大于所述第一有源区的所述连接部分沿所述第二方向的第三宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源区还包括设置在位于所述第一高度下方的第三高度处的第四部分，所述第四部分与所述第一有源区的所述第一部分和所述第二部分中的每一个接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一有源区的所述第一部分沿所述第二方向的所述第一宽度小于所述第一有源区的所述第四部分沿所述第二方向的第四宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二有源区，由所述元件隔离区界定并且沿所述第一方向延伸，其中，所述第二有源区沿所述第二方向与所述第一有源区间隔开；以及

第三有源区，由所述元件隔离区界定并且沿所述第一方向延伸，其中，所述第三有源区沿所述第二方向与所述第一有源区和所述第二有源区中的每一个间隔开，

其中，所述元件隔离区包括设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间的第一元件隔离区和设置在所述第一有源区与所述第三有源区之间的第二元件隔离区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，设置在所述第一元件隔离区上的所述栅电极的下表面与设置在所述第二元件隔离区上的所述栅电极的下表面共面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，设置在所述第一元件隔离区上的所述栅电极的下表面包括第一下表面和第二下表面，并且

其中，所述第一下表面与所述第一有源区和所述第二有源区中的每一个相邻，并且所述第二下表面在所述第一下表面之间延伸。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二有源区包括设置在所述第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在所述第二高度处的第三部分，并且

所述第二有源区的所述第二部分沿所述第一方向与所述第二有源区的所述第一部分间隔开，并且所述第二有源区的所述第三部分与所述第二有源区的所述第一部分和所述第二部分中的每一个接触。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，设置在所述第一有源区的所述第一部分与所述第二有源区的所述第二部分之间的所述第一元件隔离区沿所述第二方向的第五宽度大于设置在所述第一有源区的所述第三部分与所述第二有源区的所述第三部分之间的所述第一元件隔离区沿所述第二方向的第六宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源区的所述第一部分沿所述第二方向与所述第一有源区的所述第三部分的第一侧壁间隔开，并且

其中，所述第一有源区的所述第二部分沿所述第二方向与所述第一有源区的所述第三部分的第二侧壁间隔开，其中所述第一有源区的所述第三部分的所述第二侧壁与所述第一有源区的所述第三部分的所述第一侧壁相对。