[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202110183677.3 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN113937117A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 杨允熙;蔡正龙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
一种图像感测装置包括:半导体基板,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且包括用于包括像素结构的像素区域和用于提供外部电连接的焊盘区域的不同部分;第一焊盘金属层,其形成在半导体基板的第一表面上方并位于焊盘区域中;抗反射层,其形成在第一焊盘金属层的第一部分上方以接触第一焊盘金属层的顶表面;以及焊盘钝化层,其形成在第一焊盘金属层和抗反射层上方。第一焊盘金属层的第二部分被设置为焊盘开口区域,该焊盘开口区域被形成为暴露出第一焊盘金属层的顶表面,并且第一焊盘金属层和抗反射层之间的界面被构造为不被暴露于外部。
技术领域
本专利文档中公开的技术和实现总体上涉及图像感测装置。
背景技术
图像传感器在电子装置中用于利用对光起反应的半导体特性来捕获至少一个图像。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的最新发展,在例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医疗微型相机、机器人等的各个领域中,对高集成、高性能图像传感器的需求日益增长。
图像感测装置可以大致分类为CCD(电荷耦合器件)图像感测装置和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像感测装置。近来,由于模拟控制电路和数字控制电路可以直接实现为单个集成电路(IC),CMOS图像感测装置已经被广泛使用。
发明内容
所公开的技术的各种实施方式涉及设置有具有更高可靠性的焊盘的图像感测装置。
根据所公开的技术的实施方式,一种图像感测装置可以包括:半导体基板,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且包括用于包括像素结构的像素区域和用于提供外部电连接的焊盘区域的不同部分;第一焊盘金属层,其形成在半导体基板的第一表面上方并位于焊盘区域中;抗反射层,其形成在第一焊盘金属层的第一部分上方以接触第一焊盘金属层的顶表面;以及焊盘钝化层,其形成在第一焊盘金属层和抗反射层上方。第一焊盘金属层的第二部分被设置为焊盘开口区域,该焊盘开口区域被形成为暴露出第一焊盘金属层的顶表面,并且第一焊盘金属层和抗反射层之间的界面被构造为不被暴露于外部。
根据所公开的技术的另一实施方式,一种图像感测装置可以包括:像素区域,其包括多个单位像素,每个单位像素被构造为通过将入射光转换为电信号来提供像素信号;以及焊盘区域,其位于像素区域的一侧,并被构造为包括要电联接到外部电路的多个焊盘。焊盘区域可以包括:第一区域,在该第一区域中第一焊盘金属层通过焊盘开口区域暴露于外部;第二区域,在该第二区域中形成与第一焊盘金属层的顶表面接触的抗反射层和与抗反射层的顶表面和侧表面接触的焊盘钝化层;以及第三区域,其设置在第一区域和第二区域之间,并且以焊盘钝化层延伸以形成在第一焊盘金属层的顶表面上方的方式形成。
应当理解,所公开的技术的前述概括描述和以下详细描述是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
参照当结合附图考虑时的以下详细描述,所公开的技术的以上和其它特征以及有益方面将变得显而易见。
图1是例示基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置的示例布局的示意图。
图2是例示基于所公开的技术的一些实现的、沿着图1所示的线A-A′截取的图像感测装置的示例的截面图。
图3是例示基于所公开的技术的一些实现的由图2所示的虚线圆圈所标示的区域的示例的放大截面图。
图4至图10是例示基于所公开的技术的一些实现的用于形成图2所示的结构的工艺的示例的截面图。
具体实施方式
本专利文档提供了图像感测装置的实现和示例。所公开的技术的一些实现提出了设置有具有更高可靠性的焊盘的图像感测装置的设计。所公开的技术提供了能够通过增加在焊盘中使用的异质金属层上的钝化程度来提高焊盘的可靠性的图像感测装置的各种实现。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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